美国 MSE Supplies 8 英寸高纯度（未掺杂）碳化硅晶片半绝缘 SiC 衬底 （HPSI）
8 英寸高纯度（未掺杂）碳化硅晶片半绝缘 SiC 衬底 （HPSI）
规格：
| 年级 | 生产级 | 虚拟等级 |
| 多型 | 4小时 | |
| 直径 | 200.0 毫米 +/- 0.2 毫米 | |
| 厚度 | 500 微米 +/- 25 微米 | |
| 晶圆定向 | 轴上：<0001> +/- 0.25 度 | 轴上：<0001> +/- 0.25 度 |
| 95% 晶圆的微管密度 （MPD） | ≤ 1 厘米-2 | ≤ 10 厘米-2 |
| 电阻 率 | ≥ 1E8 欧姆 cm | 70% 面积 ≥ 1E5 欧姆 cm |
| 掺杂 | 未掺杂 | |
| 缺口方向 | {1-100} +/- 5.0 度 | |
| 缺口深度 | 1~1.25 毫米 | |
| LTV/TTV/弓/经 | 5 um /10 um / ±25 um /35 um （生产级） | |
| 15 微米/20 微米/±65 微米/70 微米（虚拟等级） | ||
| 表面粗糙度 | C 面：抛光，Ra<5nm | |
| 硅面：CMP，Ra<0.2nm | ||
| 六角板（通过高强度光检查*） | 没有 | 不测试 |
| 多型区域 | 没有 | ≤30% 累积面积 |
| 划痕（用高强度光检查） | ≤ 5 个划痕，累积长度≤ 200 毫米 | 不测试 |
碳化硅晶体材料的性能
| 财产 | 4H-SiC 单晶 |
| 晶格参数 （Å） | a=3.076 c=10.053 |
| 堆叠顺序 | ABCB |
| 密度 | 3.21 |
| 莫氏硬度 | ~9.2 |
| 热膨胀系数 （CTE） （/K） | 4-5 x 10-6 |
| 折射率 @750 nm | 否 = 2.61 内 = 2.66 |
| 介电常数 | c ~ 9.66 |
| 掺杂类型 | 未掺杂半绝缘 |
| 导热系数 （W/cm-K @298 K） （半绝缘型） | a~4.9 c~3.9
|
| 带隙 （eV） | 3.23 |
| 击穿电场 （V/cm） | 3-5 x 106 |
| 饱和漂移速度 （m/s） | 2.0 x 105 |
| 晶圆和衬底尺寸 | 晶圆：4、6 英寸;可提供其他尺寸，并可根据要求定制 |
| 产品等级 | A 级 生产级 （MPD 1 cm-2) C 级 假人级 （MPD 10 cm-2) |
定制
可定制的 SiC 晶体产品可以满足客户的特定要求和规格。外延片可根据要求定制。
