RVL2000 系统由四栅 LEED 光学组件、荧光观察屏和低剖面电子枪组成。其光学系统采用高透过率（每栅 83%）的钨栅精密对准，具有 103° 的广视角。电子枪直径仅为 1.59 cm，支撑结构设计紧凑，最大限度减少了对 LEED 图像的遮挡。同时，该电子枪可在 100 eV 下输出高达 2 µA 的束流电流，在俄歇模式下可达 50 µA。
光学组件可选固定式或可伸缩式几何结构。
固定式光学 安装于 6.0 英寸或 8.0 英寸外径 CF 法兰，标准法兰到样品距离为 8.0 或 10.0 英寸。
伸缩式光学 安装于 8.0 英寸 CF 法兰，标准配置有两种版本：
10 英寸样品距法兰距离，行程 2.0 英寸；
8 英寸样品距法兰距离，行程 1.8 英寸。
光学移动由单一螺杆驱动，通过三个高精度线性轴承实现真空腔内平稳位移，螺杆由与光轴垂直安装的 UHV 级旋转进给器驱动，确保 LEED 图案观察不受阻挡。
系统性能特点
精密四栅钨丝光学结构
微型 1.59 cm 直径电子枪
103° 可用观察角度
< 0.5% 能量分辨率（特别适用于俄歇分析）
提供可伸缩光学版本
法兰集成观察窗与电气进线接口
全面兼容 UHV 与系统烘烤
标准 LEED 控制电子学系统（RVL/SE 型号）
控制电子枪灯丝、电子束能量及聚焦
控制二次电子抑制电压与荧光屏高压
电子枪能量与聚焦可通过手动旋钮或模拟计算机输入进行调节
抑制电极独立供电以控制图案对比度
十圈电位器精确调节电子束能量、抑制电压、聚焦与发射电流
前面板数字读出：可读取所有电子枪与电极电压、电流参数
低能量运行（<100 eV）时使用电子枪减速电压设计，相比等势枪可获得更高电流输出
适用于低电流应用场合：LEED 光学系统可选配双微通道板（MCP）探测系统（型号 RVL2000/8/MCP）
RVL2000/8/R LEED 技术规格
光学系统：
四栅设计（4-Grid Design）：在俄歇操作过程中可实现更高分辨率（<0.5%）。
栅网结构（Grid Construction）：钨丝排布为 3.94 条线/毫米（线径 0.025 毫米），对准方式优化以最小化莫尔干涉效应。
透过率（Transmission）：每栅透过率为 83%，整体透过率为 47%。
几何结构（Geometry）：120° 立体角接受范围。
集电器（Collector）：使用高光学质量的接地 Pyrex（硼硅酸盐）玻璃观察屏，具备 103° 视场角；表面带透明 SnO₂ 导电涂层，并均匀覆盖标准 P20 荧光粉。
电子枪：
电子束直径（Beam Diameter）：在样品位置小于 1 毫米。
电子束电流（Beam Current）：使用钨灯丝时，在 500 eV 加速电压下电流为 5 微安（可选配 LaB₆ 灯丝）。
几何结构（Geometry）：同心安装设计。小直径（1.59 厘米）的电子枪及其支架结构可最大限度减少对观察屏的干扰。
光学组件安装：
安装于标准 8.0 英寸 CF 法兰，法兰面至焦点距离为 203.2 mm（8 英寸）
外部配有 μ 金属屏蔽层
所有电气连接均为 UHV 烘烤兼容进线接口
伸缩行程为 50.8 mm（2 英寸），由旋转进给器驱动
RVL/SE 控制电子学详细参数
| 参数项 | 范围 |
|---|---|
| 束电压（Beam Voltage） | 0 – 1500 V（手动或远程控制） |
| 聚焦电压（Focus Voltage） | 0 – 束电压的 100% |
| 灯丝电源 | 0 – 3 A |
| 抑制电极电压 | 相对于束电压 0 – 100 V |
| 减速电压 | 0 – 100 V |
| 荧光屏高压 | 1 – 5 kV |
反视型 LEED/Auger 组合系统
利用 LK Technologies 的 LEED 光学系统搭配 RVL/AES 控制器，可轻松进行**减速场分析（RFA）型俄歇电子能谱（AES）**测试。该控制器为一体化设计，集成了执行高质量 AES 测量所需的全部电子模块，图示为硅材料的典型测试结果。俄歇能谱的工作能量分辨率优于 0.5%。
与其他系统不同，RVL/AES 控制器内置锁相放大器，专用于俄歇模式，无需像其他商业系统那样配置多达五个模块，既降低了成本，又避免了繁琐的系统集成。此外，RVL/AES 还采用特殊滤波系统和高灵敏前置放大器，实现了RFA 模式下业内领先的信噪比性能。
