性能特点
超高分辨率：0.5 meV FWHM
在1.0 meV分辨率（FWHM）下，保证探测器电流 ≥10 pA
采用新的静电偏转器，控制角度畸变
低噪声数字控制电子学，配有菜单驱动的软件
用户可选择的扫描范围，最高可达50 eV，用于振动光电子/电子应用
ELS5000光谱仪
**高分辨率电子能量损失光谱仪（EELS）**是一种强大的表面分析技术，能够在高真空环境下提供金属和半导体表面的独特振动分析。随着研究的进展，绝缘体和聚合物薄膜也开始使用电荷中和技术进行研究。EELS可以提供关于以下方面的重要信息：
与红外光谱学相比，EELS具有更高的表面灵敏度和更宽的光谱范围。例如，可以在几分钟内扫描200-5000 cm⁻¹的光谱范围，并且可以检测到少于10⁻³单层吸附的CO。与红外光谱学相比，EELS不受严格的偶极选择规则的限制，这些规则通常会妨碍重要模式和吸附物的观察。在EELS中，既有长程偶极子散射机制，也有短程“冲击”散射机制，并且可以有效地根据散射角度和冲击能量进行研究。例如，分子吸附物如果表现出弱偶极子活性，则可以在冲击散射区检测到。EELS提供的信息与Auger、ESCA、LEED、SIMS、SPM等其他表面探针获得的数据相得益彰，并且对实验者而言易于解释。
ELS5000光谱仪的特点
ELS5000是一款基于德国KFA朱利希教授Harold Ibach及其同事的研发成果的最先进光谱仪。在最佳条件下，该仪器能够提供0.5 meV的能量分辨率。ELS5000由LK Technologies制造，并根据与KFA的全球许可协议生产。
ELS5000采用高度优化的双通单色仪，其中127°圆柱形偏转器的空间电荷补偿在两个单色仪阶段通过精确选择参数来实现。前单色仪作为“减速”单色仪，电子在此阶段离开并进入第二个单色仪时的动能约为前单色仪名义通过能量的五分之一。第二个单色仪作为非减速阶段，其偏转角度适合减少空间电荷。电子枪采用特殊的LaB6阴极。该设计的重要方面是在径向和平面上精确塑造静电偏转器，以实现控制的角度畸变。该设备的分辨率限制为0.3 meV。
ELS5000配备单通分析仪，分析仪可旋转，提供在许多实验中所需的角度分析。单色仪和分析仪之间使用一对对称的输入输出“变焦”镜头系统，用于聚焦和减速/加速电子束以进入和离开样品表面。采用专利的非圆形对称镜头设计，具有优异的传输特性。结合这种高传输镜头的单色仪-分析仪系统，实现了在能量分辨率下的卓越探测器电流。
ELS5000-DAC数字控制电子包
ELS5000系列电子光谱仪提供了一种完全基于计算机控制的电子设备，这是高分辨率电子能量损失分析领域中的独特设计。这个创新的PC-based系统配有菜单驱动软件，允许设置和优化所有光谱仪电压，并监控关键电流水平。通过能够读取并存储光谱仪设置的完整表格，提供了比传统EELS电源更高的速度和灵活性。此集成系统包括信号恢复电子设备和菜单驱动软件，用于数据采集、显示和EELS振动光谱的分析。
ELS5000-DAC软件： 该程序为菜单驱动，支持鼠标控制。在“DAC模式”下，用户可以看到所有光谱仪电压的完整彩色屏幕视图，并可以显示选定电流水平或计数率（在通道电子探测器上的计数）。用户可以通过鼠标更改任何显示的电压，以优化电流水平、计数等。所有当前的光谱仪电压可以快速存储在磁盘上，或者在需要时从磁盘中召回。这一功能在改变束能量或改变光谱仪分辨率时非常方便。还有一个“自动调谐”模式，能通过计算机控制优化信号水平和峰形。在信号恢复部分，或“扫描模式”中，谱图采集控制了扫描范围、通道大小、每通道时间和重复扫描的次数。扫描实时显示，且可以在扫描过程中更改纵向比例。扫描完成后，可以显示完整数据，并允许用户交互式检查数据，可以查看不同能量损失区域，并读取能量损失峰位置（以meV或cm⁻¹表示）和强度（以计数/秒表示）。额外的数据可以累计，或将光谱存储到磁盘中。存储后的数据可以通过交互式方式分析。
机械规格
法兰安装的光谱仪，配有所有必要的电气和机械通道。
提供双重磁屏蔽以与腔体的磁屏蔽接口。
包括圆柱形双通单色仪和单通分析仪。
法兰的标准安装为12”外径的共面法兰。分析仪可以从直通位置旋转至78°。
注意：此项目不提供腔体磁屏蔽。
一般性能规格
在直接束光几何条件下，保证的典型性能规格如下：
1 meV FWHM，探测电流 >10 pA
2 meV FWHM，探测电流 >70 pA
电子学规格 – 模型 ELS5000 DAC
数字控制电子包，用于控制ELS5000光谱仪。包括数字控制光谱仪电压和读取关键电流。
包括皮安表、噪声滤波器、电源、PC兼容计算机和接口设备。
包括LK2000-CE计数电子设备包，配有必要的接口。
包括数据采集和控制光谱仪电压的软件。
工作范围：2-200 eV动能。扫描范围：名义50 eV。电压波纹：小于250微伏峰-峰值。电子设备基于接地样品方法（无需偏压样品以实现束能量）。
