离子源 NGI3000 溅射蚀刻系统、离子枪与控制电子设备 通过离子溅射进行表面清洗 离子散射谱(ISS)光谱分析

LK TechnologiesNGI3000离子枪及其控制电子设备,专为通过离子溅射进行表面清洗而设计,束能最高可达 3 keV,离子电流最高 25 µA。该离子枪采用了一种创新的气体注入系统,使得在典型腔体压力 1 × 10⁻⁶ Torr 下即可实现稳定的溅射过程。

这一技术大大降低了气体负载,相较于传统离子枪(通常需将腔体回充至约 5 × 10⁻⁵ Torr),可显著缩短抽气时间,并减少因气体杂质带来的问题

该气体注入系统还使 NGI3000 可直接用于 离子散射谱(ISS 及其他离子光谱分析,无需昂贵的差动抽气装置。在标准配置下,离子枪可发出宽离子束,确保对样品的均匀溅射,满足多数样品清洁应用的要求。

一个完整的溅射蚀刻系统通常包括:

  • NGI3000 离子枪

  • NGI3000-SE 控制电子设备

  • NGI3000-LV 泄漏阀

该系统性价比高,并提供两种标准枪体长度(详见尺寸图),可广泛应用于各类常规溅射清洗及 ISS 分析任务。

性能特点

  • 专利气体注入系统,无需昂贵的差动抽气设备

  • 惰性气体溅射,低腔体压力(约 10⁻⁶ Torr)

  • 宽离子束,实现均匀溅射

  • 与常规的溅射清洗及 ISS 应用兼容

  • 束电压连续可调,最高至 3 kV

性能数据

表 1:样品电流与束电压(枪距 2.5 cm,发射电流 20 mA)

束电压 (kV)样品电流 (µA)
0.5012
1.0019
2.0025
3.00*28*

* 电流密度超过 100 µA/cm²


表 2:束斑直径与枪-样品距离

枪距 (cm)束斑直径 (FWHM) (mm)
1.56
2.58
14.030

技术参数

  • 束电压:0.1 – 3 kV,连续可调

  • 离子源类型:电子轰击提取型

  • 灯丝:可更换,钍钨丝(thoriated iridium)

  • 束电流:额定最大 25 µA,发射电流 20 mA,电流密度 > 100 µA/cm²

  • 束直径:高斯形束斑,随目标距离变化,典型值为 2.5 cm 时约 8 mm

  • 安装法兰:2.75 英寸外径 CF 法兰,带 4 个 SHV 接头

  • 气体进气口:法兰上集成泄漏阀

  • 离子源工作压力:约 5 × 10⁻⁵ Torr

  • 腔体工作压力:约 1 × 10⁻⁶ Torr(150 L/s 抽气系统)

  • 差动抽气:不需要

  • 控制电子设备:机架安装,前面板可调束电压与发射电流,带电流测量功能


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