介绍
高分辨率电子能量损失谱（EELS）是一种强有力的表面分析技术，能够在高真空环境下对金属和半导体表面进行独特的振动分析。在适当条件下，绝缘体和聚合物薄膜也可进行分析。EELS能够轻松提供以下重要信息：
► 吸附物的振动频率
► 吸附物的分子结构（分解、聚合）
► 表面上的键合强度
► 吸附几何结构——表面键合位点
► 表面化学（氧化物形成、还原、中间体等）
► 泛音和组合振动带
► 表面声学和光学声子
重要的是，EELS比红外光谱具有更高的表面灵敏度和更宽的光谱范围。例如，可以在几分钟内扫描200-5000 cm⁻¹的光谱范围，并且能检测到低于10⁻³单层的吸附CO。与红外光谱相比，EELS不受严格的偶极选择规则限制，这些规则通常会妨碍重要模式和吸附物的观察。在EELS中，长程偶极散射和短程“碰撞”散射机制都能起作用，并且可以根据散射角度和碰撞能量进行有效研究。例如，偶极活性较弱的分子吸附物可以在碰撞散射区域被检测到。EELS获得的信息理想地补充了Auger电子能谱（AES）、电子能谱化学分析（ESCA）、低能电子衍射（LEED）、次级离子质谱（SIMS）、扫描隧道显微镜（STM）等其他表面探测技术的数据，并且为实验者提供了易于理解的结果。
LK2000光谱仪
自1986年商业推出以来，LK2000高分辨率EELS光谱仪在其领域内获得了国际认可，被视为性能领先的代表。这一声誉基于我们对可靠性、客户满意度及仪器持续改进的承诺。LK2000的专利电子光学设计和创新的计算机控制是将EELS从曾经被视为专家精密技术，发展为表面科学家振动光谱学“主力工具”的关键因素。LK2000已被全球众多工业和学术实验室广泛使用。它已成功应用于多种领域，包括金属上的烃类化学吸附（催化）、硅片清洗技术分析、聚合物薄膜表征、C60薄膜研究等诸多方面。
特点
► 3 meV（全宽半高，FWHM）及以下的分辨率
► 双通道单色仪
► 卓越的单色电流和计数率
► 非常低的光谱背景，无“鬼”峰
► 主束能量可调，范围0-240 eV
► 日常操作简便
► 提供固定或可旋转分析仪选项
► 标配双重磁屏蔽
► 低噪声高稳定电源
► 计算机控制电子系统，带自动调谐软件
► 提供完整超高真空系统
LK2000配备了双通道127°单色仪，具有卓越的电流性能和极低的光谱背景，与单通道分析仪结合使用。仪器保证的分辨率为3 meV，同时具有非常高的信号强度。此外，仪器提供三种标准安装配置，方便系统集成。
LK Technologies率先推出了全计算机控制电子系统（型号LK2000-DAC）。这一创新的基于PC的系统配备菜单驱动的软件，允许用户设置和优化所有光谱仪电压并监控关键电流水平。能够读取并存储完整的光谱仪设置表格，使得仪器在速度和灵活性上远超传统EELS电源。这是唯一提供高级软件以实现信号强度和峰形自动优化的商业系统。该集成系统包括信号恢复电子设备以及用于获取、显示和分析EELS振动光谱的菜单驱动软件。
技术规格
型号LK2000-14或LK2000-10 高分辨率EELS光谱仪
法兰安装光谱仪，配备刚性光学系统，包括所有电气穿墙连接、电子倍增器和磁屏蔽。尺寸详情请参见宣传册。型号LK2000-14-R 高分辨率EELS光谱仪
法兰安装，配备55度高精度旋转分析仪，包括所有电气穿墙连接、电子倍增器和磁屏蔽。尺寸详情请参见宣传册。型号LK2000-DAC 数字控制电子包
包含光谱仪电压的数字控制及关键电流读出。配置包括皮安表、降噪滤波器、电源、386 PC/AT彩色显示器、硬盘、双软驱、图形卡和接口设备。配备菜单驱动软件，实现数据采集、自动优化及光谱仪电压控制。包括型号LK2000-CE计数电子包及必要接口。型号LK2000-CE 计数电子包
包含前置放大器、放大器/鉴别器、频率计（1 MHz）、电子倍增器11V电源及NIM模块电源。
超高真空系统（UHV）
提供适用于LK2000系列EELS光谱仪的完整超高真空系统。通常包括定制不锈钢真空室、离子泵和/或涡轮分子泵、以及带加热/冷却功能的精密样品操作装置。
应用于UPS
LK2000的高分辨率分析仪也可用作光电子能谱（UPS）研究的角度分辨仪器，适用于实验室光源或同步辐射光源。有关此应用的最新信息，请联系LK Technologies。
机械规格
► 适用于10英寸或14英寸外径CFF标准法兰（可定制设计）
► 兼容8英寸或12英寸外径法兰
► 法兰到焦点距离12英寸
► UHV腔体尺寸为12英寸和18英寸外径
► 提供多种样品进样方式
► 设备可耐受200°C烘烤
