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Leysop 低压光学调制器 EM 200A,EM 400A,EM 200K,EM 400K,EM 200L,EM 400L

——横向场 ADP、KD*P 及铌酸锂模拟调制器。

ADP

ADP 调制器可设计用于从紫外到可见光直至约 900nm 的所有波长，并且基本上无压电谐振。该类型调制器具有高度的温度稳定性，但如需长期直流幅度稳定工作，应在恒温环境中运行。调制频率不受器件本身特性限制（除电容外），因此取决于所使用的驱动电路。所有组件均采用宽带增透膜，也可提供充液版本，包括超高透射率类型。

ADP 设计的一个特点是，由于光传播方向不沿对称轴，异常偏振光会发生“走离”，因此需要使用四块匹配晶体并以适当取向进行补偿，以同时补偿走离和静态双折射。这会对最大透射率产生轻微影响，因为相比其他类型调制器，其晶体表面数量多了一倍。

KD*P

横向场 KD*P 电光调制器能够提供比 ADP 类型更高的热稳定性，这主要得益于其不需要相同的四晶体排列方式。透射范围也扩展至约 1200nm，且其消光比也优于 ADP 同类产品。然而，它确实表现出压电特性，因此在数百 kHz 至低 MHz 范围的高频调制中并非理想选择，但采用谐振阻尼技术后性能可有所改善。这些器件也可提供带合适增透膜的干燥版本或充液版本，包括超高透射率类型。

Lithium niobate铌酸锂

铌酸锂是一种高温生长的光学材料，与 ADP 和 KD*P 晶体不同，它不溶于水。虽然它不能在 500nm 以下安全使用（且到约 800nm 时需谨慎，仅使用低光功率），但在此之上范围，它具有出色的透过性能，直至约 4µm。为获得最佳热稳定性，最好使用 Z 切晶体，这是我们的标准设计，且无静态双折射需要补偿。然而，采用双折射补偿的 X 切设计可获得更高的灵敏度。此切型也用于不需要此类补偿的相位调制器。

遗憾的是，铌酸锂具有很强的压电效应，这可能会限制其在某些需要良好时间性能的应用中的使用。器件以干燥状态供货，晶体和窗口上镀有合适的增透膜（尽管技术上并非总是必需，但用于密封器件以防尘等）。