产品背景
EM500系列纵向场KD*P普克尔斯盒专为卓越性能设计，其光学晶体活性区域被最大限度地封装于接地金属外壳中。这种设计不仅通过良好的电磁屏蔽降低辐射干扰，还提升了用户安全性。另一项安全特性是采用高压级HV BNC接口，其插头延伸屏蔽层可减少用户在未连接设备时触碰带电电缆的触电风险。尽管这种设计为开放式环境（如实验室光学平台）的用户带来诸多优势，但也略微增大了器件的体积。
对于调Q激光系统制造商而言，光学元件的体积与重量往往是关键考量因素，而辐射安全等问题可通过激光设备的外壳屏蔽解决。因此，这类用户更注重器件的轻量化与紧凑性。为此，我们推出紧凑型KD*P普克尔斯盒系列，摒弃了EM500系列的厚重铝合金外壳，改用简易针脚或M3螺柱接口。这种设计通过消除与活性元件并联的HV BNC接口电容，进一步降低了器件负载电容。
标准化设计
该系列采用行业标准的35mm直径封装，可直接兼容多数现有激光头设计而无需改造。根据需求可提供特殊端盖，并可选配波片与偏振镜。我们始终乐于讨论OEM调Q器件的定制需求。现可提供同尺寸外壳下8mm、10mm或12mm通光孔径的型号，更大孔径的15mm和20mm版本则采用不同结构的35mm直径外壳。
技术参数
| 参数 | EM508M/EM510M/EM512M |
|---|---|
| 通光孔径 | 8mm/10mm/12mm |
| 波长范围 | 0.3 – 1.2µm |
| 半波电压（1.06µm） | 静态约6.0kV，动态7.2kV |
| 最大工作电压 | 10kV |
| 光学响应时间 | <1.0ns |
| 消光比（1.06µm） | >1000:1 |
| 无端接电容 | <5pF |
| 损伤阈值 | 600MW/cm²（10ns脉宽@1064nm） |
| 镀增透膜插损* | 典型值1.5-2.0% |
| 外形尺寸 | 直径35mm，长度49mm |
*注：我们的超高透射率HHT版本可将插损降至近乎不可测水平，具体适用性请咨询。
更大通光孔径型号需采用不同封装尺寸。例如EM515M/EM520M（您已猜到我们的编号规则😝）仍保持35mm直径，而目前最大可提供100mm直径外壳的50mm孔径器件。如有大孔径需求，欢迎垂询。
紧凑型双普克尔斯盒
在需要低工作电压的应用中（如脉冲挑选等半波操作），推荐采用双晶体普克尔斯盒结构——两晶体光学串联但电路并联。该设计可将所需延迟电压减半，特别适合驱动电源电压受限的场景。