LEYSOP ADP KD*P和铌酸锂模拟调制器,低电压光调制器,EM 200A,EM 400A

LEYSOP ADP KD*P和铌酸锂模拟调制器,低电压光调制器,EM 200A,EM 400A

ADP

ADP调制器可以设计用于从紫外线到可见光范围内的所有波长,直至约900nm,并且基本上没有压电共振。这种调制器类型具有高度的温度稳定性,但在需要长期直流幅度的情况下,应在恒温环境中操作。调制频率不受器件特性限制,除了其电容,因此取决于所使用的驱动电路。所有组件都使用宽频AR涂层,或者我们可以提供充液版本,包括超高传输类型。

ADP 设计的一个特点是,由于光传播不是沿着对称轴进行的,所以非寻常光线会“偏移”,因此需要使用四个匹配的晶体,并适当地 orientated 以补偿偏移和静态双折射。这确实会稍微影响最大传输,因为与其它调制器类型相比,晶体表面的数量是两倍。

KD*P

横向KD*P电光调制器能够提供比ADP类型的更高的热稳定性,这是因为它们不需要相同的四晶体排列。传输范围也扩展到约1200nm,其消光比也优于其ADP对应物。然而,它表现出压电特性,因此在数百千赫到低兆赫兹范围内的高频调制方面不是一个很好的选择,尽管使用共振阻尼技术,其性能可能会有所改善。这些设备也可以提供干式涂覆合适的AR涂层或液填充,包括超高传输版本。

Lithium niobate

锂铌酸盐是一种高温生长的光学材料,与ADP和KD*P晶体不同,它不溶于水。尽管它不能在500nm以下安全操作(在~800nm范围内谨慎使用低光功率),但在该范围以上,其透明度可达到~4µm。为了获得最佳的热稳定性,最好使用Z切晶,这是我们的标准设计,没有需要补偿的静态双折射。然而,通过补偿双折射可以获得更高的灵敏度。这种切工也用于不需要这种补偿的相位调制器。

不幸的是,锂 niobate 的压电效应非常强,这在需要良好时间性能的应用中可能会限制其使用。 电池以干燥状态提供,晶体和窗口具有适当的 AR 涂层(尽管技术上并非总是需要,但用于密封电池以防止灰尘等)。

LEYSOP低电压光调制器产品规格

LEYSOP设备的孔径尺寸通常为2毫米和4毫米,但最大可达6毫米,大多数设备都可以配置,使用优化的晶体,用于偏振调制(在交叉偏振器之间的强度调制)或相位调制,

在这种调制中,输入偏振态保持不变,电容器调制了感知的光学路径长度。

型号EM 200AEM 400AEM 200KEM 400KEM 200LEM 400L
水晶类型ADPKD*PLiNb03
光圈2.2毫米4.0毫米2.2毫米4.0毫米2.0毫米4.0毫米
晶体长度4 x 20毫米2 x 40毫米2 x 36毫米
633纳米的半波电压220V370V220V370V220V440V
晶体取向45°y-cut45°z-cut斜切
波长范围0.3 – 0.9微米0.2 – 1.2微米0.5 – 4.0微米
最大连续施加电压400400400400400400
消光比> 100:1> 150:1> 150:1> 200:1> 100:1> 150:1
电容60pf40pf60pf
细胞直径40毫米
细胞长度110毫米
光学传输> 85%*> 90%*> 90%*
连接器—BNC—

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