英国LEYSOP Ltd EM200 ADP KD*P LiNb03低电压电光调制器,普克尔斯盒

ADP

ADP 调制器可设计为在从紫外线到可见光直至约 900nm 的所有波长下工作，并且基本上没有压电共振。这种调制器类型具有高度的温度稳定性，但在需要长期直流振幅的情况下，它应该在恒温环境中运行。调制频率不受设备特性的限制，除了其电容之外，因此取决于所使用的驱动电路。所有组件均使用宽带增透膜，或者我们可以提供流体填充版本，包括超高传输类型。

ADP 设计的一个特点是，由于光学传播不沿对称轴，异常偏振光会“走离”，因此有必要使用四个匹配的晶体，适当定向以补偿两者走离以及静态双折射。这确实对最大传输有轻微影响，因为与其他调制器类型相比，晶体表面的数量是其两倍。

KD*P

横向 KD*P 电光调制器能够提供比 ADP 型更高的热稳定性，这主要是因为它们不需要相同的四晶体排列。传输范围也扩展到 1200nm 左右，其消光比也优于其 ADP 对应物。然而，它确实显示出压电特性，因此对于数百 kHz 至低 MHz 范围内的高频调制而言，这不是一个好的选择，尽管使用共振阻尼技术可以改善此处的性能。这些设备也可以提供带有合适 AR 涂层的干燥设备或填充液体的设备，包括超高传输版本。

LiNb0₃

铌酸锂是一种高温生长的光学材料，与 ADP 和 KD*P 晶体不同，它不溶于水。虽然它不能在低于 500nm 的波长范围内安全运行（以及高达 ~800nm 的波长，但要谨慎使用低光功率），但高于此范围时，它在 ~4µm 范围内具有良好的透明度。为了获得最佳的热稳定性，最好使用 Z 形切割晶体，这是我们的标准设计，并且没有静态双折射需要补偿。然而，双折射补偿 X 切设计可获得更高的灵敏度。这种切割也用于不需要这种补偿的相位调制器。

不幸的是，铌酸锂具有很强的压电特性，这会限制其在某些需要良好时间性能的应用中的使用。电池是干燥的，在晶体和窗口上有合适的 AR 涂层（虽然技术上并不总是需要用于密封电池以防止灰尘等）

英国LEYSOP Ltd EM200 ADP KD*P LiNb03低电压电光调制器产品规格