BBO 普克尔斯电池，用于高重复率 Q 开关和高功率脉冲拾取
从技术上讲，我们应该讨论 β-BBO 以将其与 α-BBO 形式区分开来，后者虽然在化学上相同，但在其晶体结构中有一个对称中心，这使它失去了任何电光效应（但它仍然是一种出色的偏振器）！为简洁起见，我们从现在起将仅指代 BBO。
当然，有相当多的材料确实具有电光效应，为给定应用选择最佳材料并不总是那么容易。这将取决于许多因素，但当高功率处理很重要时，通常情况下 BBO 提供了迄今为止最好的解决方案。它具有从大约 200nm 到超过 2µm 的良好光学透明度，对于腔内激光操作非常重要，提供高抗光学损伤能力，对于 1064nm 的1ns 脉冲，功率处理 >3GW/cm 2 。平均功率处理能力也远高于其他材料，并且可以在数百瓦的平均功率水平和几千瓦/厘米2的功率密度下使用 BBO 普克尔斯电池
除了这种出色的功率处理能力外，BBO Q 开关还具有非常低的压电谐振水平。对于 Q 开关，高达 50 甚至高达 100kHz 的激光器是实用的，对于电激励脉冲非常短的脉冲拾取应用，已证明极限 >5MHz（驱动器受限）
与 RTP 的比较是相当明显的，因为它们都非常适合高重复率应用。BBO 的优点是光传播是沿材料的光轴（Z 方向）进行的，因此不存在静态双折射，热稳定性极佳。这与高晶体均匀性一起提供了高消光比，对于单晶器件，消光比通常约为 1,000:1 甚至更高。在 RTP 中，光传播轴沿着 X 轴或 Y 轴，两者都表现出双折射，因此需要某种形式的双折射补偿。因此在 RTP 普克尔斯盒中更难实现如此高的对比度。
那么 BBO 不是几乎所有应用的首选 EO 材料肯定是有原因的吗？有，那就是工作电压。BBO 的电光系数非常低，因此对于给定的晶体尺寸，半波电压将比几乎任何类似的普克尔斯盒高得多。例如，20mm 长晶体的 3x3mm 横截面在 1064nm 处的有效半波电压约为 7kV，比类似晶体尺寸的 RTP 普克尔斯盒高约 5 倍。尽管它是一种横向场装置，因此可以通过将晶体做得又长又薄来提高灵敏度，但与孔径相关的单个晶体的长度存在实际限制。对于最大 5x5mm 的横截面晶体，Z 方向的最大实用长度为 25mm。对于孔径大于 5 毫米但最大为 12 毫米的晶体，最大可用长度为 20 毫米，对于更大的孔径，长度必须下降得更多。通常情况下，将电压降低到可接受水平的唯一实用方法（尤其是使用较大孔径的晶体）是串联使用两个晶体。这与 RTP 电池不同，没有双折射补偿发生，而只是将可用电压施加到串联的两个晶体，从而使产生的效果加倍。
虽然我们将制造几乎任何实用的 BBO 普克尔斯盒来满足您的要求，但我们尝试使用许多标准尺寸和晶体组合。通常，这些器件安装在直径为 35mm 的封装中，其长度由所用 BBO 晶体的总长度决定。例外情况是需要带同轴连接器的封装，无论是出于安全考虑（在开放式工作台上使用）还是出于驱动方案的原因（例如通过连接的驱动器）或水冷设备的情况（见下文） ). 无论使用哪种封装方式，通常都必须用光学窗口密封，因为 BBO 具有轻微的吸湿性，不能承受高湿度下的操作，光学面不会随着时间的推移而退化。如果环境得到精心控制且湿度较低，
标准设备与我们的大多数横向场普克尔盒一样，通过定义材料、孔径、晶体长度和任何 AR 涂层规格的部件号指定。长度为 25mm 且带有 1064nm 增透膜的 4mm 孔径晶体的型号为 BBO-4-25-AR1064。晶体长度大于20或25mm（取决于孔径）的型号将是双晶电池，例如BBO-6-40-AR800。
Leysop一般/典型规格
| 范围 | 价值 |
| 透射率（例如 1064nm） | >98.5% |
| 可用光圈 | 2、3、4、5、6、7、8mm 标准 * |
| 1064nm 的半波电压 | 约 7kV 用于 3x3x20mm 晶体 ** |
| 对比度 | >30dB |
| 电容 | 通常为 5 至 10pF |
| 伤害阈值 | >1GW/cm 2在 1064nm ( t = 10ns) |
| 可用波长： | 220 纳米 – 2,000 纳米 *** |
* 可提供高达 12mm 的更大孔径，但工作电压的实际限制提供了一些限制，例如，即使是四分之一波操作也可能需要双晶电池。
** 对于其他晶体尺寸，电压将与孔径成线性比例，与长度成反比。
*** 由于电压限制，更长的波长可能会对孔径施加限制。
