Leysop KD*P普克尔斯盒 Pockels电池 磷酸二氘钾普克尔盒 KDP普克尔盒 普克尔电池

KD*P 普克尔斯盒
(带MHV连接器,适用于Q开关及脉冲选择)

EM500系列KD*P纵向普克尔斯盒采用坚固封装设计,具有优异的连接灵活性。其贯穿连接型无需采用标准50欧姆传输线技术即可实现最快开关速度,通常用于放大器隔离的脉冲选择与门控应用;单接口型更适用于Q开关应用;而采用浮动连接的双接口型则特别适配差分放大器(如我们的M5000型号)。

本系列产品选用具有超低光学损耗和无应变特性的KD*P晶体,工作波长范围覆盖0.3-1.2µm,标配熔融石英窗口片并可按照客户指定波长进行光学镀膜。除提供单/双/四端子配置选项外,还可根据应用需求选择:

  • 折射率匹配液填充结构(经济型Q开关方案首选)
  • 干燥式结构(可选晶体增透膜处理)

我们独家开发的”HHT”特殊构型能将内表面反射抑制至可忽略水平(单面反射率约0.05%),其优势包括:
✓ 透射率逼近理论极限(实测值无限接近100%,仅受限于窗口镀膜性能)
✓ 静态消光比突破10,000:1(通过消除多重内反射和散射实现)

该系列采用全金属屏蔽壳体设计,仅保留必要的光学窗口,接地金属外壳确保优异的电磁屏蔽性能。配备专用高压BNC(MHV)接口,既保障电气安全又有效抑制辐射干扰,使其特别适合光学平台等开放环境使用。若应用环境本身具备屏蔽功能,可选用我们结构更紧凑的电光Q开关系列(在保持同等光学性能的前提下实现小型化设计)。

典型技术规格

型号EM508EM510EM512EM515EM520EM525
通光孔径8mm10mm12mm15mm20mm25mm
波长范围0.3-1.2µm0.3-1.2µm0.3-1.2µm0.3-1.2µm0.3-1.2µm0.3-1.2µm
半波电压(DC)@1.06µm6.0kV6.0kV6.2kV6.3kV6.3kV6.3kV
典型上升时间*<0.5ns<0.5ns<0.5ns<0.6ns<0.7ns<0.8ns
最大工作电压10kV10kV10kV10kV10kV10kV
消光比@1.06µm>1000:1>1000:1>1000:1>1000:1>1000:1>1000:1
晶体长度25mm25mm25mm30mm40mm45mm
未端接电容10pF10pF12pF15pF20pF20pF
损伤阈值(Q开关)600MW/cm²600MW/cm²600MW/cm²600MW/cm²600MW/cm²600MW/cm²
典型插入损耗2%2%2%2%2%2%
接口类型高压BNC(MHV)高压BNC(MHV)高压BNC(MHV)高压BNC(MHV)高压BNC(MHV)高压BNC(MHV)
表面处理黑色阳极氧化黑色阳极氧化黑色阳极氧化黑色阳极氧化黑色阳极氧化黑色阳极氧化
外形尺寸Φ50×56mmΦ50×56mmΦ50×56mmΦ55×66mmΦ55×76mmΦ55×81mm

*注:上升时间测试条件为50Ω终端匹配并配合专用驱动器使用

应用领域
纵向场KDP普克尔斯盒作为激光Q开关技术发展初期沿用至今的经典器件,具有显著的技术优势:其大通光孔径设计与独特的电场施加方式,使实现90°偏振切换所需的半波电压基本不受孔径影响。KDP晶体作为优质光学材料,不仅能加工成大尺寸器件,更以远低于其他材料的成本实现高损伤阈值特性,同时保持合理的驱动电压需求。

尽管KD*P具有潮解特性,但莱索普公司通过突破性工艺可实现λ/8平面度与10-5级激光表面质量。采用真空级O型圈密封技术,确保晶体长期隔绝大气湿气,维持数十年稳定运行。

典型应用包括:
✓ 固体激光Q开关:尤适用于YAG/红宝石激光器(已大量应用于医疗美容激光设备),其高损伤阈值支持生成毫焦级脉冲,平均输出功率覆盖数十瓦至约50W
✓ 脉冲选择系统:卓越的光学性能与大通光孔径,使其成为飞秒锁模激光-再生放大器系统中低重频脉冲选择的理想器件
✓ 超快光闸系统:针对纳秒级光门控需求,我们可提供上升时间亚纳秒、孔径达25mm的完整解决方案

技术亮点:

  • 配套专用驱动器可实现>10kHz高对比度脉冲选择(即使大孔径器件亦能稳定工作)
  • 支持定制化驱动系统集成

我们始终秉持”技术可行即能实现”的服务理念,欢迎随时联系技术团队探讨您的具体需求。


Related posts