Leysop双晶体KD*P普克尔斯盒 KDP Pockels电池 磷酸二氘钾普克尔盒 KDP普克尔盒 普克尔电池

双晶体KD*P普克尔斯盒

标准版与紧凑型设计 | 低电压Q开关与脉冲拾取的理想选择

技术说明

产品概述

双晶体纵向模式普克尔斯盒是一种通过创新设计显著降低驱动电压的电光调制器件。与横向模式器件不同,本产品采用纵向电场设计,通过双晶体结构将工作电压降低50%,同时保持优异的消光比性能。

核心技术特点

  1. 电压减半设计
  • 采用双KD*P晶体光学串联、电学并联结构
  • 1064nm波长下驱动电压从单晶体的6kV降至3kV左右
  • 保持纵向模式器件固有的几何不敏感性优势
  1. 灵活配置选项
  • 提供1/2/4端子电气接口配置
  • 可选晶体间折射率匹配液填充或干式结构
  • 支持抗反射镀膜定制(需额外费用)
  • 可选用倾斜窗口或楔形晶体设计抑制干涉效应
  1. 多样化产品系列
  • 标准孔径:8/10/12mm(最大支持25mm)
  • 包含紧凑型系列和超快系列(UPC)双晶体版本
  • 电容负载约为单晶体器件的两倍

典型应用

  • 高消光比要求的Q开关系统
  • 低电压驱动的脉冲选择系统
  • 高功率激光调制应用
  • 对光学性能有严格要求的科研实验

产品优势

  • 电压需求降低50%,显著减少系统成本
  • 保持纵向模式器件的光学性能优势
  • 一体化设计降低安装调试复杂度
  • 灵活的配置选项满足特殊需求

我们可提供从标准规格到完全定制的双晶体普克尔斯盒解决方案。如需了解更多技术细节或特殊需求支持,欢迎随时联系我们的技术团队。

双晶体纵向模式KD*P普克尔斯盒技术规格示例

核心参数指标

参数名称性能指标
通光孔径8mm
工作波长范围0.3-1.2µm
1.06µm半波电压3.75kV
最大耐受电压8kV
光学响应时间<0.25ns
1.06µm消光比>600:1
本征电容~20pF
Q开关损伤阈值600MW/cm²
插入损耗2-3%
电气接口高压BNC或M2.5接线柱


Related posts