三电极KD*P普克尔斯盒
（专为再生放大器和雪崩驱动脉冲切片应用优化）
革命性电极设计
- 创新三电极架构
- 采用”环形-中心-环形”的独特电极排布
- 中心电极接地，形成天然电磁屏蔽层
- 双驱动端独立控制，实现ns级精确时序调控
- 脉冲整形突破
- 上升/下降沿独立优化（典型值<2ns）
- 脉冲宽度可编程调节（10ns-1μs连续可调）
- 支持雪崩驱动器直接耦合，避免交叉干扰
技术优势解析
| 比较维度 | 三电极设计 | 传统四端设计 |
|---|---|---|
| 时序控制精度 | ±0.5ns | ±3ns |
| 电磁兼容性 | 优良 | 需额外屏蔽 |
| 系统集成复杂度 | 降低40% | 高 |
| 驱动成本 | 节约35% | 高昂 |
典型应用方案
- 再生放大器时序控制
- 配合雪崩驱动器实现<3ns光学开关
- 典型参数：5mm通光孔径/1064nm/4kV半波电压
- 高精度脉冲切片
- 前沿/后沿独立优化技术
- 预脉冲抑制比达10⁴:1（@1053nm）
选型注意事项
- 孔径权衡
- 标准型号：5mm（平衡性能与尺寸）
- 扩展型号：8mm（需增加20%晶体长度）
- 驱动匹配建议
- <2ns应用：推荐雪崩晶体管驱动
5ns应用：MOSFET驱动器即可满足
- 替代方案
- 超紧凑型号：EM510C（Φ25mm机身）
- 常规型号：标准KD*P普克尔斯盒（开放式实验适用）
工程服务支持
我们提供：
- 定制化电极阻抗匹配方案
- 驱动器协同设计服务
- 真空/水冷特殊版本定制
注：三电极设计虽增加约15%器件成本，但可降低系统总成本30%以上，特别适合：
✓ 多级放大系统时序控制
✓ 超高信噪比脉冲整形
✓ 紧凑型激光系统集成
