英国Leysop EM 200A、EM 400A、EM 200K、EM 400K、EM 200L、EM 400L低压光学调制器、电光调制器件、进口代理Leysop Optical

英国Leysop EM 200A、EM 400A、EM 200K、EM 400K、EM 200L、EM 400L低压光学调制器、电光调制器件、进口代理Leysop Optical

英国Leysop EM 200A、EM 400A、EM 200K、EM 400K、EM 200L、EM 400L低压光学调制器

Low Voltage Optical Modulators

横向场ADP、KD*P和铌酸锂模拟调制器

ADP调制器

ADP调制器可以被设计成在从紫外到可见光直到大约900nm的所有波长下工作，并且基本上没有压电谐振。这种调制器具有高度的温度稳定性，但如果需要长期直流幅度，则应在恒温环境下工作。调制频率不受器件特性的限制，只受其电容的限制，因此取决于所用的驱动电路。宽带AR涂层用于所有部件，或者我们可以提供流体填充型，包括超高透射型。

ADP设计的一个特征是，因为光传播不是沿着对称轴，非常规的偏振光线“离散”,所以必须使用四个匹配的晶体，适当地定向以补偿离散和静态双折射。这确实对最大透射率有轻微影响，因为晶体表面的数量是其他类型调制器的两倍。

KD*P

横向KD*P电光调制器能够提供比ADP型更高的热稳定性，这主要是因为它们不需要相同的四晶体排列。透射范围也扩展到大约1200nm，并且其消光比也优于从其ADP对应物获得的消光比。然而，它确实显示出压电特性，因此对于数百kHz至低MHz范围内的高频调制来说不是一个很好的选择，尽管使用谐振阻尼技术可以提高性能。这些设备也可以提供适当的AR涂层或流体填充干燥，包括超高传输版本。

铌酸锂

铌酸锂是高温生长的光学材料，与ADP和KD*P晶体不同，它不是水溶性的。虽然它在500纳米以下无法安全工作(在800纳米以下，注意仅使用低光功率)，但在此范围以上，它在4米以下具有良好的透明度。为了获得最佳热稳定性，最好使用Z形切割晶体，这是我们的标准设计，没有静态双折射需要补偿。然而，双折射补偿X形切割设计可以获得更高的灵敏度。这种切割也用于不需要这种补偿的相位调制器。

不幸的是，铌酸锂是非常强的压电体，这限制了它在需要良好时间性能的某些应用中的使用。提供的电池是干燥的，在晶体和窗口上有合适的AR涂层(虽然技术上不总是需要，但用于密封电池以防灰尘等)。)

Leysop EM 200A、EM 400A、EM 200K、EM 400K、EM 200L低压光学调制器产品规格：

器件提供标称2mm和4mm的孔径尺寸，但最大6mm也是可用的，并且大多数器件可配置有针对偏振调制(交叉偏振器之间的强度调制)或相位调制优化的晶体，在相位调制中，输入偏振状态保持不变，电池调制表观光程长度。