美国Lasermate Near-Infrared CW Laser Diodes近红外连续波激光二极管、进口代理Lasermate
美国Lasermate近红外连续波激光二极管
Near-Infrared CW Laser Diodes
近红外连续波激光二极管专为需要长波长输出和高可靠性的应用而设计。这些二极管支持宽光谱范围,并且有多种功率等级、光束轮廓和安装选项可供选择,包括TO-can、蝴蝶型和光纤耦合封装。许多型号都配备了热电制冷器,使其非常适合集成到精密感测系统中。可定制的波长和封装可根据特定系统需求进行匹配。
美国Lasermate近红外连续波激光二极管
零件号 | 产品线 | 波长 | 输出功率 | 工作电流 | 工作电压 | 温度 | 封装 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
连续波激光二极管 – 近红外激光二极管 | 780纳米 | 90毫瓦 | 120毫安 | 2.0伏特 | 零下十摄氏度到八十摄氏度 | 5.6毫米 | |
LD780A5C16 | 连续波激光二极管 – 近红外激光二极管 | 780纳米 | 5毫瓦 | 30毫安 | 1.8伏 | 零下十度到六十度 | 5.6毫米 |
LD780A10C17 | 连续波激光二极管 – 近红外激光二极管 | 780纳米 | 10毫瓦 | 30毫安 | 1.9伏特 | -10摄氏度至70摄氏度 | 5.6毫米 |
LD780A10A16 | 连续波激光二极管 – 近红外激光二极管 | 780纳米 | 10毫瓦 | 30毫安 | 1.9伏特 | 零下十度到六十度 | ⌀3.3毫米 |
LD-808-500G | 连续波激光二极管 – 近红外激光二极管 | 808纳米 | 500毫瓦 | 600毫安 | 1.8伏 | ⌀9.0毫米 | |
LD808E2WK13 | 连续波激光二极管 – 近红外激光二极管 | 808纳米 | 2000毫瓦 | ≤2.1安 | ≤2.0伏 | 15摄氏度到30摄氏度 | 芯片贴装技术 |
LD808F1WC15 | CW激光二极管 – 近红外激光二极管 | 808纳米 | 1000毫瓦 | 1200毫安 | 1.9伏特 | 零下十摄氏度到五十摄氏度 | 5.6毫米 |
LD808E8WJ13 | CW激光二极管 – 近红外激光二极管 | 808纳米 | 8瓦 | ≤10安 | ≤2.0伏 | 15摄氏度到30摄氏度 | F型镜头座 |
LD808E3WK13 | 连续波激光二极管 – 近红外激光二极管 | 808纳米 | 3000毫瓦 | ≤3.3安 | ≤2.0伏 | 10摄氏度到30摄氏度 | 芯片贴装技术 |
LD808E5WK13 | CW激光二极管 – 近红外激光二极管 | 808纳米 | 5W | ≤5.5安 | ≤2.0伏 | 15摄氏度到30摄氏度 | 芯片贴装技术 |
LD808E3WG13 | 连续波激光二极管 – 近红外激光二极管 | 808纳米 | 3000毫瓦 | ≤3.3安 | ≤2.0伏 | 10摄氏度到30摄氏度 | C型安装 |
LD808D5WF13 | CW激光二极管 – 近红外激光二极管 | 808纳米 | 5W | ≤5.5安 | ≤2.0伏 | 15摄氏度到30摄氏度 | TO3 |
LD808E3WJ13 | CW激光二极管 – 近红外激光二极管 | 808纳米 | 3000毫瓦 | ≤3.3安 | ≤2.0伏 | 10摄氏度到30摄氏度 | F型镜头座 |
LD808A500C17 | CW激光二极管 – 近红外激光二极管 | 808纳米 | 500毫瓦 | 520毫安 | 1.92伏特 | -10摄氏度至70摄氏度 | 5.6毫米 |
连续波激光二极管 – 近红外激光二极管 | 808纳米 | 2000毫瓦 | 2100毫安 | 2.1伏 | 零下十摄氏度到五十摄氏度 | ⌀9.0毫米 | |
LD808E5WJ13 | 连续波激光二极管 – 近红外激光二极管 | 808纳米 | 5W | ≤5.5安 | ≤2.0伏 | 15摄氏度到30摄氏度 | F型镜头座 |
LD808D3WF13 | 连续波激光二极管 – 近红外激光二极管 | 808纳米 | 3000毫瓦 | ≤3.3安 | <2.0V | 10摄氏度到30摄氏度 | TO3 |
LD808A500C15 | 连续波激光二极管 – 近红外激光二极管 | 808纳米 | 500毫瓦 | 540毫安 | 1.9伏特 | 零下十摄氏度到五十摄氏度 | 5.6毫米 |
LD808E2WJ13 | 连续波激光二极管 – 近红外激光二极管 | 808纳米 | 2000毫瓦 | ≤2.1安 | ≤2.0伏 | 15摄氏度到30摄氏度 | F型镜头座 |
LD808A500D15 | 连续波激光二极管 – 近红外激光二极管 | 808纳米 | 500毫瓦 | 600毫安 | 1.8伏 | 零下十摄氏度到五十摄氏度 | ⌀9.0毫米 |
LD808E2WG13 | 连续波激光二极管 – 近红外激光二极管 | 808纳米 | 2000毫瓦 | ≤2.1安 | ≤2.0伏 | 15摄氏度到30摄氏度 | C型安装 |
LD808E5WG13 | 连续波激光二极管 – 近红外激光二极管 | 808纳米 | 5W | ≤5.5安 | ≤2.0伏 | 15摄氏度到30摄氏度 | C型安装 |
LD-808-200A | 连续波激光二极管 – 近红外激光二极管 | 808纳米 | 200毫瓦 | 260毫安 | 1.7伏 | 零下十摄氏度到五十摄氏度 | 5.6毫米 |
LD808A300C14 | 连续波激光二极管 – 近红外激光二极管 | 808纳米 | 300毫瓦 | 300毫安 | 1.9伏特 | 零下十度到四十度 | 5.6毫米 |
零件号 | 产品线 | 波长 | 输出功率 | 工作电流 | 工作电压 | 温度 | 封装 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
LD808x1WD15 | 连续波激光二极管 – 近红外激光二极管 | 808纳米 | 1000毫瓦 | 1200毫安 | 2.0伏特 | 零下十摄氏度到五十摄氏度 | ⌀9.0毫米 |
LD808E8WK13 | CW激光二极管 – 近红外激光二极管 | 808纳米 | 8瓦 | ≤10安 | ≤2.0伏 | 15摄氏度到30摄氏度 | 芯片贴装技术 |
LD830E1WG13 | CW激光二极管 – 近红外激光二极管 | 830纳米 | 1000毫瓦 | ≤1.30安 | ≤2.0伏 | 15摄氏度到30摄氏度 | C型安装 |
LD830A100C16 | CW激光二极管 – 近红外激光二极管 | 830纳米 | 100毫瓦 | 120毫安 | 2.3V | 零下十度到六十度 | 5.6毫米 |
LD830E1WK13 | 连续波激光二极管 – 近红外激光二极管 | 830纳米 | 1000毫瓦 | ≤1.30安 | ≤2.0伏 | 15摄氏度到30摄氏度 | 芯片贴装技术 |
LD830A50C16 | 连续波激光二极管 – 近红外激光二极管 | 830纳米 | 50毫瓦 | 62毫安 | 2.1伏 | 零下十度到六十度 | 5.6毫米 |
LD830A300C16 | CW激光二极管 – 近红外激光二极管 | 830纳米 | 300毫瓦 | 410毫安 | 1.8伏 | 零下十度到六十度 | 5.6毫米 |
LD830A200C16 | CW激光二极管 – 近红外激光二极管 | 830纳米 | 200毫瓦 | 240毫安 | 2.0伏特 | 零下十度到六十度 | 5.6毫米 |
LD830A10C16 | CW激光二极管 – 近红外激光二极管 | 830纳米 | 10毫瓦 | 20毫安 | 1.9伏特 | 零下十度到六十度 | 5.6毫米 |
LD830A500C16 | 连续波激光二极管 – 近红外激光二极管 | 830纳米 | 500毫瓦 | 660mA | 1.95伏特 | 零下十度到六十度 | 5.6毫米 |
LD850A10C16 | CW激光二极管 – 近红外激光二极管 | 850纳米 | 10毫瓦 | 25毫安 | 1.9V | -10°C to 60°C | ⌀5.6mm |
LD850A50C15 | CW Laser Diodes – NIR Laser Diodes | 850nm | 50mW | 95mA | 1.8V | -10°C to 50°C | ⌀5.6mm |
LD850A250C16 | CW Laser Diodes – NIR Laser Diodes | 850nm | 250mW | 310mA | 1.9V | -10°C to 60°C | ⌀5.6mm |
LD850A200C16 | CW Laser Diodes – NIR Laser Diodes | 850nm | 200 mW | 230mA | 2.1V | -10°C to 60°C | ⌀5.6mm |
LD850A10A16 | CW Laser Diodes – NIR Laser Diodes | 850nm | 10mW | 21mA | 1.8V | -10°C to 60°C | ⌀3.3mm |
LD905A100C17 | CW Laser Diodes – NIR Laser Diodes | 905nm | 100mW | 130mA | 1.9V | -10°C to 70°C | ⌀5.6mm |
LD905A10C17 | CW Laser Diodes – NIR Laser Diodes | 905纳米 | 10毫瓦 | 16毫安 | 1.7伏特 | -10摄氏度至70摄氏度 | 5.6毫米 |
LD915E10WJ13 | CW激光二极管 – 近红外激光二极管 | 915纳米 | 10瓦 | ≤11安 | ≤2.2伏 | 15摄氏度到30摄氏度 | F型镜头座 |
LD915E10WK13 | 连续波激光二极管 – 近红外激光二极管 | 915纳米 | 10瓦 | ≤11安 | ≤2.2伏 | 15摄氏度到30摄氏度 | 芯片贴装技术 |
LD940A200C16 | 连续波激光二极管 – 近红外激光二极管 | 940纳米 | 200毫瓦 | 270毫安 | 2.0伏 | 零下十度到六十度 | 5.6毫米 |
CW激光二极管 – 近红外激光二极管 | 940纳米 | 50毫瓦 | 60毫安 | 1.8伏 | 零下十度到六十度 | 5.6毫米 | |
LD940A300C16 | CW激光二极管 – 近红外激光二极管 | 940纳米 | 300毫瓦 | 400毫安 | 2.0伏特 | 零下十度到六十度 | 5.6毫米 |
LD940D200S3516 | CW激光二极管 – 近红外激光二极管 | 940纳米 | 200毫瓦 | 320毫安 | 1.9伏特 | 零下十度到六十度 | SMD |
LD940E3WJ13 | 连续波激光二极管 – 近红外激光二极管 | 940纳米 | 3000毫瓦 | ≤3.2安 | ≤2.0伏 | 10摄氏度到30摄氏度 | F型镜头座 |