GaAs光电二极管类别包括由砷化镓（GaAs）制成的高速度、高效率光探测器，专为需要快速响应和高灵敏度的先进应用而设计。GaAs光电二极管经过优化，适用于近红外（NIR）光谱的探测，非常适合用于光通信、激光雷达（LIDAR）、激光探测以及高速数据传输等领域。这些光电二极管具有低噪声、优异的温度稳定性和高可靠性，即使在严苛环境下也能确保性能稳定。无论是工业、航空航天还是科研领域，GaAs光电二极管都能提供精准高效的光探测能力。
提供型号：
| 型号 | PD材料/类型 | 光谱响应范围 | 峰值灵敏度波长 | 带宽 | 上升/下降时间 | 温度 | 功率 | 封装 |
| PDT-A85A30 | GaAs PIN 光电二极管 | 1.5GHz (min) | TO-46 | |||||
| PDT-A85P4-2GA3 | GaAs PIN 带前置放大器的光电二极管 | 770-860nm | 850nm | 1.5GHz | 200ps (max) | -40°C to 85°C | 3.3V | TO-46 |
| PDT-A85P5-4GA3 | GaAs PIN 带前置放大器的光电二极管 | 770-860nm | 850nm | 2.5GHz | 135ps | -40°C to 85°C | 3.3V | TO-46 |
| PDT-A85P4-1MA4 | GaAs PIN 带前置放大器的光电二极管 | 850nm | 115MHz (min) | 4.5ns (max) | -40°C to 85°C | 3.0V to 5.5V | TO-46 | |
| PDT-A85P5-10GA3 | GaAs PIN 带前置放大器的光电二极管 | 770-860nm | 850nm | 7GHz | 50ps | -40°C to 85°C | 3.3V | TO-46 |
| PDT-A85P5-1GA3 | GaAs PIN 带前置放大器的光电二极管 | 770-860nm | 850nm | 700MHz (min) | 400ps (max) | -40°C to 85°C | 3.3V | TO-46 |
美国lasermate 脉冲激光二极管 适用于工业激光打标、医疗诊断和电信 LDP808A7WC15 LDP905D25WC48
