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描述

  • 原子层沉积 (ALD) 是一种沉积薄原子层的工艺;
  • ALD 是 CVD(化学气相沉积)的一种特殊形式。原子层沉积 (ALD) 和通用 CVD 之间的主要区别在于前驱体按顺序(而不是同时)引入反应室;
  • 虽然比其他技术慢,但该工艺提供了更好的结构质量;
  • 允许逐层沉积 TiO2、Al2O3、SiO2、ZnO、MgO、NiO、SnO2、Nb2O5。

技术规格 – 信息

外部框架通过不锈钢法兰带有集成的手套箱
根据型号的不同,ALD 可以集成在地板上、背面或手套箱的一侧。
与大多数设计有适当接口的型号兼容。

薄膜沉积技术有哪些应用?

薄膜沉积技术应用最广泛的领域是储能和保护组件的生产和开发、半导体和纳米技术。

因此,在有机光伏电池、锂电池、OLED 或传感器领域,手套箱必须集成许多可以通过法兰连接的仪器。因此,可以在防止氧气和湿气的情况下沉积通常厚度为几纳米的材料薄膜。

一些薄膜沉积技术

原子层沉积 (ALD) 可以使用不同类型的设备,包括:

  • 狭缝模具沉积设备,允许在大型基板上沉积;
  • 真空蒸发设备,允许金属或有机材料的蒸发以及在晶圆或衬底表面沉积薄层;
  • 喷墨打印设备,用于在各种基材表面沉积一层薄薄的功能性液体,可以达到更大的尺寸(介电墨水、导电墨水);
  • 通过旋涂沉积薄层的设备,尤其专用于小基板或缩小尺寸的晶圆。

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