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InSb探测器
InfraRed Associates, Inc.提供的光伏铟锑(InSb)探测器是通过使用单晶材料的台阶技术形成的p-n结。这一工艺产生了最高质量的光电二极管,具有在1μm至5.5μm波长范围内的优良电光性能。这些二极管是背景限制(BLIP)探测器,其性能可通过空间(冷却FOV阻挡)或光谱(冷却干涉滤光器)减少背景来增强。
典型应用:
- 医疗热成像
- 热成像
- 光谱学
- 辐射计
- 研究
- 红外显微镜
光伏效应是在适当波长的辐射照射到p-n结时,在其上产生电势。当光子流照射到结上时,如果光子能量超过禁带能量,就会形成电子-空穴对。
电场将电子从p区抽送到n区,并将空穴从n区抽送到p区。这个过程使p区变为正极,n区变为负极,从而在外部电路中产生电流。InSb探测器的等效电路由信号和噪声电流源与电阻和电容并联组成。
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当背景辐射通过在活跃元件中产生恒定输出来移动工作曲线时,应对探测器进行反向偏置,以将其恢复到最佳工作点:零电压。
这可以通过使用匹配的前置放大器,如我们的IAP-1000IS来实现。探测器前置放大器系统在探测器噪声限制模式下工作。需要一个双输出电源。
标准光伏铟锑探测器
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根据客户规格设计的定制配置和阵列可供选择。此外,还可以提供适用于各种冷却技术的定制金属和玻璃德瓦瓶。请联系我们讨论您的具体需求。
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