Innolume 单模半导体激光管 梳状激光器 (Chip-on-carrier) 80GHz O 波段梳状激光器,基座芯片

Innolume 单模半导体激光管

梳状激光器Chip-on-carrier

80GHz O 波段梳状激光器,基座芯片

平均波长: 1310nm
总输出功率: 60mW
正向电流: 150mA
正向电压: 2V
模式间隔: 80GHz
通道数: 10
每通道功率: 5mW
个人模式 RIN: -130dB/Hz
慢轴光束发散度: 10 度
快轴光束发散度: 54 度
应用
  • 数据通信

载体上的芯片绘制

L-I 特性

I-V 特性

光谱

Beating Mode 的 RF 频谱

波长和 RIN 与电流

偏置电压特性

什么是单模半导体激光管

单模半导体激光管 (SMLD) 是一种以单横向模式运行的专用半导体激光器。SMLD 可生成具有高功率密度的聚焦和衍射极限输出光束。这是通过简单的光束准直实现的,而半导体激光管的独特设计则有助于实现这一点。SMLD 的频率由半导体激光管谐振器参数决定,而半导体激光管谐振器参数又由半导体激光管的反射面决定。为了实现精确的激光生成和波长选择,可以使用分布式反馈 (DFB) 半导体激光管和光纤布拉格光栅 (FBG)。这些设备有助于稳定激光输出并创建具有均匀间隔频率线的频谱。梳状激光器是另一种类型的激光器,可以产生由一系列等距频率线组成的光谱。

高功率单模半导体激光管的主要应用

高功率单模半导体激光管因其优异的精度、稳定性和能效而广泛应用于各个行业。高功率 SMLD 设计用于需要精确光束控制和高性能的应用。下面列出了这些激光器发挥重要作用的一些主要领域:

  • 电信:单模半导体激光管具有很高的稳定性和准确性,是光网络中数据传输的理想选择。SMLD 能够以最小的信号损失实现长距离数据传输,使其成为电信系统中必不可少的。
  • 医疗技术:单模半导体激光管在医疗领域有许多应用,例如高分辨率成像、激光诊断以及眼科和皮肤科的治疗。
  • 光谱学和计量学:单模半导体激光管有助于在光谱学中进行分子分析和高分辨率测量,从而能够准确分析化合物和材料。这些 SMLD 用于精密测量系统,例如对中系统,该系统依靠其稳定性和连贯性来确保准确的距离和位移测量。
  • 工业应用:单模半导体激光管支持需要高精度和功率的切割、焊接和 3D 打印等任务。
  • 量子技术:单模半导体激光管允许产生纠缠光子对和量子态控制,这对量子通信和计算至关重要。
  • 导航:单模二极管用于汽车、航空和地理空间等各种应用中的距离测量、LIDAR 制造和测绘。

单模半导体激光管的主要特点

Innolume 单模半导体激光管旨在满足最高性能标准,为各种要求苛刻的应用提供精确可靠的结果。无论您需要高输出功率、灵活的波长选项还是多功能封装配置,我们的半导体激光管在设计时都考虑到了出色的稳定性,使其易于集成到您的系统中。以下是使我们的产品成为各种行业和先进技术的理想选择的一些关键特性。

  • 高输出功率:我们的激光器在连续波模式下提供高达 900 mW 的令人印象深刻的功率输出,在脉冲模式下高达 1.2 W。这使得它们非常适合最苛刻的应用。
  • 广泛的可用波长范围:我们有多种波长 (780 nm – 1350 nm) 可供选择,允许您为您的特定应用选择最佳激光源。
  • 光谱性能多样性:我们的激光器可实现多种光谱特性。您可以从各种光谱形状和线宽中进行选择。
  • 封装选项:根据您的应用,您可以选择光纤耦合 14 针蝶形封装或具有自由空间输出光束的封装。单模光纤耦合半导体激光管具有多种优势,包括简化对准、提高系统稳定性、多功能光束传输、增强可靠性以及与光纤系统的无缝集成。具有自由空间输出光束的封装允许灵活地引导激光束。这可以通过使用镜子、透镜或其他光学元件来纵激光束的轨迹和性能来实现。您可以从 9x TO 接头、C 接口或氮化铝载体等选项中进行选择。

梳状激光器

梳状激光器用作多通道 DWDM 激光源,生成精确的等距光谱线阵列,称为频率梳状。Innolume 的量子点 (QD) 梳状激光器在 O 波段内工作,通过利用该区域的最小色散来支持高速光通信,减少信号衰减,从而针对多通道数据传输进行了优化。该器件采用可饱和吸收器部分来增强模式的锁相,通过实现连续波 (CW)作,将其与传统的锁模激光器区分开来。QD 梳状激光器表现出卓越的光学性能,单个光谱分量的相对强度噪声 (RIN) 低于 -130 dB/Hz,并且跳动光谱线宽窄,可确保一致的通道间隔。

这种高精度、稳定的平台也是高级干涉测量应用的理想选择。配置包括载波上芯片格式和光纤耦合封装,具有集成光隔离器,可增强系统集成。

梳状激光器的主要特点

  • 多波长 O 波段激光发射
  • 精确等距的通道间距
  • 调频锁模架构
  • 每通道超低 RIN (< -130 dB/Hz)

 


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