Innolume GCB0780030TC030MXXXX 增益芯片TO 封装

增益芯片是构建可调谐二极管激光器或高稳定性外腔二极管激光器的增益介质的不可替代的元件。增益芯片与半导体激光管芯片相似，不同之处在于它在一个或两个面上都有很深的抗反射涂层，这显着增加了自激光的阈值或消除了它。

典型的外腔二极管激光器配置是 Littrow 腔和 Littman/Metcalf 腔。对于 Littrow 配置，安装衍射光栅的方式是所需波长的光沿入射光束衍射回来。

通过旋转光栅来扫描波长。通常，腔内消色差透镜用于在相对较大的光栅区域上准直膨胀光束。零级衍射光束可用作输出激光束。Innolume Gain-chip 产品线细分为两大类：

• 单侧光接入（A 型和 B 型）
• 两侧光接入（C 型和 D 型）

单侧光访问增益芯片是在输出功率从外腔外耦合的方案中运行的理想元件。通常，它们采用 TO-can 封装。

两侧光接入增益芯片可用于允许直接从增益芯片面进行功率输出耦合以减少光损耗的方案，或用于放大的光学方案。

A 型 Gain-chip 具有垂直于刻面的直条纹，具有高反射 （HR） 和深减反射 （AR） 涂层。这是构建外腔二极管激光器的最具成本效益的解决方案。A 型 GC 具有对称光束远场，使用高 NA 非球面透镜为外腔和外腔提供有效耦合。与其他类型的 Gain 芯片相比，这种类型的增益频谱纹波抑制相对较低。这是因为 AR 涂层刻面的反射率为 0.1%，并且可以通过仅使用弯曲的条带到刻面设计来进一步减少。

B 型 GC 具有弯曲的条纹，正常侧带有 HR-，倾斜侧有深 AR 涂层。曲面条纹与深 AR 涂层相结合，提供极低的反射 （< 10E-5），从而抑制自激光并最大限度地减少增益纹波。弯曲条纹的缺点是输出光束的失真，使准直变得不便，并降低了反向耦合的效率。必须使用高 NA 光学元件。

C 型 GC 在倾斜侧有弯曲的条纹和深的 AR 涂层，在法向侧有百分之几的反射。波长选择反馈必须位于倾斜侧（与 B 型具有相同的优点和缺点），而输出功率从正常侧输出。这种设计允许高输出功率和相对较好的输出光束。具有正常条纹的刻面的反射必须根据系统的配置和所需的输出功率进行单独设计。

D 型 GC 有一个倾斜的条纹，两侧都有一个很深的 AR，通常用于需要内置放大装置的高级光学方案。创新的刻面涂层技术，包括刻面钝化，满足高可靠性要求。ISO9001：2008 一致性生产基于精心的设计、制造和广泛的测试。每个设备都经过单独测试，并附带一组指定的测试数据。

Innolume增益芯片主要特点

• 针对外腔中的波长锁定操作进行了优化。
• 宽广的自由跳动调谐范围。
• 高 SMSR。
• 在最大工作电流下无自激光。
• TE 极化。

Innolume增益芯片型号：