光伏锑化铟检测器由提供InfraRed Associates。是使用单晶材料通过台面技术形成的pn结。这种工艺生产出最高质量的光电二极管，在1μm至5.5μm波长范围内具有出色的光电性能。这些二极管是背景受限(尖峰)探测器，它们的性能可以通过背景的空间(冷却FOV光阑)或光谱(冷却干涉滤光器)减少来增强。
| 典型应用: |
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| 光伏效应是当适当波长的辐射入射到pn结上时，在pn结上产生电势。当光子通量照射结时，如果光子能量超过禁带能量，则形成电子-空穴对。
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| 电场将电子从p区扫向n区，将空穴从n区扫向p区。这个过程使p区为正，n区为负，会在外电路中产生电流。InSb探测器的等效电路如下所示。它由一个信号和噪声电流发生器与一个阻性和容性项并联组成。 | |
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| 当背景辐射通过在有源元件中产生恒定输出来改变操作曲线时，检测器应该被反向偏置以使其回到最佳操作点:零电压。 |
| del Number | FOV=60O, (λpk,1000,1) | Std. Pkg. | Std. Window | |||||||||||||||||||||||||||||
| Active Area Element (mm) | D*(cmHz1/2W-1) | Responsivity(λp) | Resistance (Rd)(Ω) | Capacitance (Cd)(pF) | Short Circuit Current Isc (µA) | Open Circuit Voltage Vcc (mV) | Operating Temp.(K) | |||||||||||||||||||||||||
| > 1.0E11 | > 3 A/W | 80 to 125 | 77 | MSL-8 MSL-12 or MDL-8 MDL-12 | Sapphire | |||||||||||||||||||||||||||
| IS-1.0 | q1/1×1 | 300K | 350 | 8 | ||||||||||||||||||||||||||||
| IS-2.0 | q2/2×2 | 100K | 1500 | 30 | ||||||||||||||||||||||||||||
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