美国Infrared MCT-1000前置放大器 Preamplifier
美国Infrared MCT-1000前置放大器是专门设计用于与光导碲化汞探测器配合使用的。低噪声和高增益方面与精确的恒定电压偏置相耦合，为这些探测器提供了理想的补充。
美国Infrared MCT-1000前置放大器 为MCT检测器提供最佳操作所需的所有接口电路。不需要外部偏置或负载电阻器。对于输入，典型的噪声值小于1.5 nv/Hz-1。
可提供用于高速、高增益和PV（光伏）HgCdTe探测器操作的特殊配置。
MCT探测器通过通常随探测器提供的SMA–BNC电缆连接到输入BNC连接器。需要具有至少200毫安输出（-15伏为100毫安）的正极和负极15伏直流电源。探测器偏置是内部提供的，并且偏置电压（或电流）可从典型的0V调节到+2.5伏。电气带宽内部设置为1.5Hz至200Khz；其他带宽（高达5Mhz）也是可用的。
可调增益提供典型地从50到1000倍的可变信号幅度。偏置电压和增益受检测器阻抗的影响，由于所有检测器的电阻略有不同，最大偏置电压和最大增益将略有变化。
Infrared 探测器前置放大器主要型号：
| Model | Type | 带宽 | 增益 |
| MCT-1000 | PC HgCdTe | 1.5Hz – 150kHz | 50-1000 |
| MCT-1000DC | PC HgCdTe | DC – 150kHz | 50-1000 |
| MCT-1000H | PC HgCdTe | 1.5Hz – 150kHz | 200-4000 |
| MCT-1000HS | PC HgCdTe | 500Hz – 1.0MHz | 50-1000 |
| PVMCT-1000 | PV HgCdTe | 1.5Hz – 150kHz | 5-100 |
| MCT Array | PC or PV HgCdTe | Any DC-1.0Mhz | 5-1000 |
| INSB-1000 | PV InSb | 1.5Hz – 200kHz | 5-100 |
| INSB-1000DC | PV InSb | DC – 200kHz | 5-100 |
| INSB-1000HS | PV InSb 2mm | 500Hz – 1.0MHz | 0.5-10 |
| INSB-1000HS | PV InSb 1mm | 500Hz – 1.0MHz | 2.5-30 |
| PYRO-1000 | DTGS and LiTaO3 | 1.5Hz – 10kHz | 50-1000 |
| PB-1000 | PbS/PbSe | 1.5Hz – 50kHz | 2-200 |
| INGAAS-1000 | InGaAs | 1.5Hz – 50kHz | 5-100 |
| VA-1000 | Any | 10Hz – 500Hz | 100-3000 |
