美国Infrared INSB-1000 前置放大器是专门为使用光伏铟锑探测器而设计的。低噪声和高增益方面，加上零伏偏置，为这些检测器提供了理想的补充。
INSB-1000前置放大器为INSB探测器提供了最佳操作所需的所有接口电路。不需要外部偏置或负载电阻器。前置放大器受检测器噪声限制。
可提供高速、高增益和反向偏置的特殊配置。带宽范围从直流到5兆赫。
InSb探测器通过通常随探测器提供的SMA–BNC电缆连接到输入BNC连接器。需要具有至少100毫安输出（-15伏为100毫安）的正极和负极15伏直流电源。（最小总电流200mA）电气带宽内部设置为1.5Hz至200Khz；其他带宽（高达5Mhz）是可用的。可调增益提供可变的信号幅度，通常为5到100倍。
Infrared 探测器前置放大器主要型号：
| Model | Type | 带宽 | 增益 |
| MCT-1000 | PC HgCdTe | 1.5Hz – 150kHz | 50-1000 |
| MCT-1000DC | PC HgCdTe | DC – 150kHz | 50-1000 |
| MCT-1000H | PC HgCdTe | 1.5Hz – 150kHz | 200-4000 |
| MCT-1000HS | PC HgCdTe | 500Hz – 1.0MHz | 50-1000 |
| PVMCT-1000 | PV HgCdTe | 1.5Hz – 150kHz | 5-100 |
| MCT Array | PC or PV HgCdTe | Any DC-1.0Mhz | 5-1000 |
| INSB-1000 | PV InSb | 1.5Hz – 200kHz | 5-100 |
| INSB-1000DC | PV InSb | DC – 200kHz | 5-100 |
| INSB-1000HS | PV InSb 2mm | 500Hz – 1.0MHz | 0.5-10 |
| INSB-1000HS | PV InSb 1mm | 500Hz – 1.0MHz | 2.5-30 |
| PYRO-1000 | DTGS and LiTaO3 | 1.5Hz – 10kHz | 50-1000 |
| PB-1000 | PbS/PbSe | 1.5Hz – 50kHz | 2-200 |
| INGAAS-1000 | InGaAs | 1.5Hz – 50kHz | 5-100 |
| VA-1000 | Any | 10Hz – 500Hz | 100-3000 |
