锑化铟探测器—InSb Detectors
InfraRed Associates提供的光伏锑化铟探测器，是通过使用单晶材料台面技术形成p-n结。这个过程产生最高质量的光电二极管而显示出在1μm至5.5μm波长范围内优良的电光性能。这些二极管是背景限制（BLIP）的探测器，其性能可以通过空间增强（冷却FOV stops）或频谱（冷却干扰滤波器）背景的减少。
典型应用：
- 医用热成像
- 热成像
- 光谱学
- 辐射测量
- 研究
- 红外显微术
光伏效应是当适当波长的辐射入射到pn结上时，在pn结上产生电势。当光子通量照射结时，如果光子能量超过禁带能量，则形成电子-空穴对。
电场将电子从p区扫向n区，将空穴从n区扫向p区。这个过程使p区为正，n区为负，会在外电路中产生电流。InSb探测器的等效电路如下所示。它由一个信号和噪声电流发生器与一个阻性和容性项并联组成。
当背景辐射通过所产生的有源元件恒定的输出， 转移运行曲线时，探测器应反向偏置，使其恢复到最佳工作点：零电压。
这可通过使用一个匹配的前置放大器来实现，如我们的IAP-1000IS。检测器前置放大器系统操作在检测器噪声限制模式。双输出电源是必需的。
标准光伏铟锑检测器：
