用于光刻的 UV-LED 曝光系统（UV-EXP 系列）
在 UV-EXP 系列中，idonus 提供了一种创新的 UV 照明系统，基于高功率 LED 和高级匀光光学器件。这一产品线适用于光刻胶曝光（UV-LED 光刻与固化），并适配于 MEMS、微流控、光子学、半导体与光伏等应用中使用的各种基底和光刻胶。我们的标准 UV 照明产品可满足宽度最高达 300 mm（11.8 英寸）的掩模板与晶圆的光刻需求。
我们还可根据您的具体要求定制解决方案（例如：光罩对准机的改装、未来产品的 OEM 定制等）。有关 UV-LED 改装及定制曝光系统的更多信息，请参见我们的 解决方案 > 技术 页面。
为什么选择 LED 技术？
直到最近，汞弧灯一直是唯一能够提供适用于 UV 光刻曝光的高强度光源。得益于 LED 技术的进步，UV-LED 已成为一种极具吸引力的替代方案，可取代具有危险性且耗能较高的汞灯。
除了环保和安全方面的优势外，UV-LED 相比传统汞灯在光刻技术上还具有众多且显著的技术优点。UV-LED 的首要优势是其能在非常长的寿命周期内保持稳定的光输出，因此无需每日校准和维护。此外，由于 LED 的能效更高，其发热更低，从而大大简化了系统的冷却需求。
值得注意的是，发射峰值波长为 365 nm、405 nm 和 435 nm 的 LED 可以组合使用，以模拟汞弧灯的 UV-A 光谱（对应汞元素的 i-line、h-line 和 g-line 特征峰），如图所示。
UV-LED 曝光的优势
idonus 的 UV-LED 曝光系统
idonus 推出了完整系列的 UV-LED 曝光产品。我们的系统集成了市场上性能最优的 UV-LED，并结合高品质微透镜阵列。所有产品均在公司内部完成装配与控制。我们的设计采用全远心光学系统，可在整个曝光区域提供可重复且均匀的照明条件——即高度均匀、稳定的光强与极小的光线发散角。
这项先进的光学技术可确保整块基底得到完美均匀的曝光，使固化后的光刻胶侧壁笔直，并能实现具有微米级关键尺寸图形的精确微结构加工。
图 A：光学系统（简化图）
● 通过使用微透镜阵列匀光器，实现高均匀度照明。
idonus UV-EXP 的性能
我们的 UV-LED 曝光系统提供多种标准配置，并可根据需求添加多种选项和变体（例如：单一波长或混合波长）。作为特种设备制造商，idonus 也可以根据客户的技术要求开发全定制设备（例如：不同的曝光面积、适配的设备外壳）。主要产品特性列于“标准 UV-LED 曝光系统”表格中。
图 B 显示了校准过程中进行的一次典型测量。在可用的曝光区域内，辐照度不均匀性（max-min）/(max+min) 低于 3%。图 A 所示的最大准直角 α 也是我们系统性表征的重要参数之一。图 C 展示了我们某一型号设备的典型测试结果。
为了评估 α，我们测量辐照度随准直角的变化关系：α 对应于半高全宽（FWHM）。这一阈值通常用于表示光能有效贡献于光刻胶曝光。依据我们曝光系统的性能，大约 95% 的能量集中在准直角 α 范围内。
图 B1：辐照度均匀性
● 型号 UV-EXP100S 的曝光输出（照明区域为 100×100 mm² 的方形区域）。
图 B2：辐照度均匀性
● 测量结果显示不均匀性低于 3%。数据为我们某一型号（UV-EXP100S，照明区域为 100×100 mm²）提取的典型值
图 C：准直角
● UV 光被限定在最大准直角 α 范围内（以半高全宽 FWHM 处的强度阈值为准，对应 95% 的光能量）。数据为我们型号 UV-EXP150S 提取的典型值（最大准直角 α 为 ±1.8°，即 2α = 3.6°）。
idonus 标准 UV-LED 曝光系统
