借助UV-EXP系列，Idonus提供了一种基于高功率LED和高级均质光学元件的创新型紫外线照明系统。该产品线应用于光刻胶曝光（UV-LED光刻和固化），适用于MEMS、微流体、光子学、半导体及光伏应用中使用的各种基板和光刻胶。我们的标准紫外线照明产品系列可满足宽度达300毫米（11.8英寸）的掩模和晶圆的光刻需求。
直到最近，汞弧灯还是唯一能够提供适用于紫外光刻曝光的高强度光的光源。由于LED技术的进步，紫外LED已成为危险且耗能的汞灯极具吸引力的替代品。
除了生态和安全方面，与传统汞灯相比，UV-LED在光刻技术上具有众多显著优势。UV-LED的首要优势在于其在极长的使用寿命内都能保持稳定的发射。因此，无需每日校准和维护。此外，LED能效更高，发热减少，这大大简化了系统冷却过程。
值得注意的是，发射波长为365纳米、405纳米和435纳米（峰值波长）的LED可以组合起来，模拟汞弧灯的UV-A光谱（Hg元素的i线、h线和g线特征峰）。
紫外线LED曝光的优点
- 光照稳定，无需每日校准
- 即时开启，仅在曝光期间亮灯，无需机械快门
- 使用寿命长，意味着无需再使用耗材
- 窄光谱：不会对基板造成不必要的加热，且工艺重复性更高
- 低功耗
- 无维护成本
idonus UV-LED曝光系统
Idonus推出了全系列的UV-LED曝光产品。我们的系统将市场上最有效的UV-LED与高级微透镜阵列相结合。它们在内部进行完全组装和控制。我们的设计采用全远心光学元件，可在整个曝光区域提供可重复且均匀的照明条件，即具有高度均匀且稳定的强度以及非常小的发散角。这种先进的光学元件确保整个基板的曝光完全均匀，使固化的光刻胶具有直的侧壁，并能够对具有微米级关键尺寸的图案进行精确微结构化。
由于使用了微透镜阵列均光器，实现了高度均匀的照明。
UV-EXP的性能
我们的紫外线LED曝光系统有多种标准配置，可通过大量变体和选项（例如，单一或混合波长）进行定制。作为专用机器制造商，伊多努斯（idonus）还可根据客户的规格要求开发完全定制的设备（例如，不同的曝光面积、适配的设备外壳）。
校准过程中进行的典型测量如图B所示。在可用曝光区域内，辐照度不均匀性（最大值 – 最小值）/（最大值 + 最小值）低于3%。图A所示的最大准直角α是我们系统表征的另一个重要参数。图C所示的数据是从我们其中一个模型的测量中提取的典型结果。为了评估α，测量辐照度与准直角的关系：α对应于半高宽（FWHM，半最大值处的全宽度）。该阈值通常用于考量对光刻胶曝光有效贡献的光能。鉴于我们曝光系统的性能，约95%的能量包含在准直角α范围内。
辐照度均匀性：UV-EXP100S模型的曝光输出（100×100平方毫米的方形照明区域）。
辐照度均匀性：测量结果显示，不均匀度低于3%。典型值取自我们的一款型号（UV-EXP100S，100×100平方毫米的方形照明区域）。
准直角度：
紫外线被限制在最大准直角度α范围内（半高宽处的强度阈值，对应95%的光能）。从我们的UV-EXP150S中提取的典型值（最大准直角度α为±1.8°，即2α = 3.6°）。
