瑞士idonus氢氟酸气相蚀刻机VPE100、VPE150、VPE200

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氢氟酸气相蚀刻系统VPE
idonus氢氟酸（HF）气相蚀刻系统是专为洁净室微纳加工设计的工艺设备。该系统通过热控式氢氟酸蒸气蚀刻二氧化硅层，可实现微机电系统（MEMS）无粘连释放工艺。

idonus提供系列化氢氟酸（HF）气相蚀刻（VPE）解决方案。该技术基于氢氟酸的选择性蚀刻特性：可精确蚀刻二氧化硅（SiO₂），同时保持硅（Si）衬底完整无损。标准VPE设备覆盖100mm、150mm、200mm三种晶圆规格。

•快速部署：安装调试简便
•智能夹持：晶圆夹持机构操作便捷
•安全防护：氢氟酸处理全程受控
•循环利用：氢氟酸可重复使用
•全面兼容：适配全尺寸晶圆
•背面保护：提供基板背面防护

多芯片静电吸盘
静电吸盘通过静电力将多枚芯片或晶圆片段固定在承载器上。该装置对研发原型制作极具价值——当无法处理完整晶圆时，可对芯片进行静电夹持，从而在氢氟酸气相释放前完成MEMS晶圆的剧烈划片工艺。通过调整传统制程顺序，可实现具有超柔韧悬臂结构的MEMS器件制造。

反应腔体温控系统
二氧化硅蚀刻速率随反应腔内液态氢氟酸温度变化而改变。氢氟酸温度受洁净室环境温度影响，且在长时间蚀刻过程中会因放热反应持续升温，导致晶圆间蚀刻速率递增，直至系统达到热平衡状态。