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UV-EXP系列光刻曝光系统

idonus UV-EXP系列曝光系统旨在满足最严格的光质量需求，配备高功率UV-LED光源、高品质光均匀化器和远心光学系统。该设备可作为独立的台式设备，提供充足的工作空间用于放置基材，或可集成到您的系统中。本文件将指导您选择最适合您需求的型号，并规划其在工作流程中的集成。

光源引擎（UV-EXP-LE）

在UV-EXP内部嵌入了我们的高性能UVLED光源引擎（UV-EXP-LE）。通常，单个LED发出365 nm、385 nm、395 nm、405 nm、435 nm或这些波长的组合光（标准提供365/405/435 nm）。UV-EXP-LE由电子设备精确控制，并通过空气或水进行冷却。安装在UV-EXP背面的电源模块提供所需的工作电流。LED产生的原始光经过高品质的均匀化光学系统处理后，释放到曝光源外壳中。

曝光源（UV-EXP）

光源采用非反射外壳，封装光源引擎并支持远心光学系统。准直光学将发散（但已均匀化）的UV光束垂直对齐至基材。该光源为特定的曝光区域设计。根据您的基材尺寸，您可以在我们的标准尺寸（Ø150、□150、Ø200、□200和□300 mm）之间进行选择，也可提供定制尺寸。

机械底座（UV-MB）和UV保护罩（UV-SHIELD）

机械底座（UV-MB）支撑UV-EXP系统，而UV保护罩封闭工作区域。设计上提供充足的工作空间以容纳基材和对准工具。周围的UV保护罩过滤掉强烈的UV光，保护您的眼睛和周围材料，同时始终允许视觉监控。

控制单元（UV-EXP-CU）和反馈传感器（UV-SENS-GaP）

曝光系统的操作由UV-EXP-CU控制单元控制。通过UV和温度传感器的反馈回路，UV-EXP-CU控制功率、曝光时间、照射强度或剂量。为您的安全提供了联锁装置。还提供远程控制单元UV-EXP-RCU，可与现有设备协议集成。

我们的UV-EXP曝光系统采用高功率发光二极管（LED）产生紫外线。在与目前传统系统中使用的汞灯相比，LED具有许多优势，正引发整个行业的转型。下面的表格中列出了LED技术的主要技术特点，图2介绍了对UV光刻有用的4种波长的光谱分布。
365 nm UV-LED具有最高的灵活性，是我们在大多数应用中推荐的选择。如果过程效率是关键参数，那么385 nm是某些光刻胶的最佳选择。2LE或3LE选项允许将2或3个LED安装在曝光单元上，当需要时可以在几秒钟内手动切换。

大功率UV-LED

光谱：

使用期：> 10 000 h（实际曝光时间）

时序稳定性：

•无需预热时间（即时开机）

•无快门

•性能随温度变化(约。最高工作温度-10%，控制反馈回路补偿)

环境影响 ：

•无有害物质

•能源效率高

光线的质量
光刻需要光照射
晶圆均匀、准直、远心。
均匀性保证了相同的固化/曝光水平
完整的光刻胶表面。一个典型的辐照度不均匀度要求在±5%以下。
我们的UV-EXP产品保证±3%，无可比拟
我们的大多数竞争对手。对于每一个交付的UV-EXP，我们扫描照明区域在4000多点以上
确保其一致性。
我们的标准直线的准直角由±1°和±2°之间（取决于型号）。它是足够低的以产生小的和尖锐的特点，也适用于较厚的光刻胶层。

UV-ACA（可调准直角度）选项
引入一套可互换的固定光圈，
用于减小准直角的目的
以降低辐照度输出为代价。

UV-EXP-CU控制单元
反馈控制
UV-EXP-CU控制单元（Gen. 2型号，默认包含）
允许完全控制您的曝光参数：
•持续时间：控制曝光时间从0.1到600s
•电流：控制从10提供给LED的电流
达到额定电流的100%。
•辐照度：控制UV-EXP辐照度从最小5
最大等于mW/cm²。系统的辐照度等级。
•剂量：控制总剂量（辐照度乘以持续时间）
从10到9 000 mJ/cm²。
•SPD平衡：完全控制频谱功率分布
（SPD）用于多波长光引擎。
准确的输出是由安装在UV-EXP上的磷化镓，GaP， UV-SENSGAP传感器（系统标配）保证的
外壳，它与控制单元一起调节辐照度通过闭环反馈控制。
光引擎的温度被测量和显示，并且冷却系统自动控制，保证安全操作温度。标准冷却方式为风冷热管。当需要精确的过程稳定性时（长时间工作）循环)，我们建议选择水冷（UVWA）。
一个先进的遥控单元（UV-EXP-RCU）可作为一个选项，它可以实现直接系统控制
通过modBus TCP协议控制主进程。脉冲操作为也通过UV-EXP-RCU支持。请联系我们的销售团队，如果您希望收到UV-EXP-RCU的具体技术文件。

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