连续碳化硅纤维就是前沿引领技术的典型代表。而第二代连续碳化硅纤维，优势在于耐高温、抗氧化、高强度和低密度，可在1200℃以上高温氧化性气氛中使用，相比用于发动机材料的高温合金，其工作温度提高200℃以上，结构减重30%以上。由于该材料在航空、航天、核工业、和武器装备上的应用背景，日本、美国等发达国家从技术、设备到产品对我国进行严格封锁，我国只能走自主创新之路，进行国产第二代连续碳化硅纤维的工业化开发。
根据国家制造强国建设战略咨询委员会数据显示，2025年，国内干线客机对大型涡扇发动机的市场累计需求总量超6000台。每台涡扇发动机需要200公斤的第二代连续碳化硅纤维，光这一种发动机，对该材料的累计需求量就达到1200吨。
碳化硅（SiC）陶瓷，具有抗氧化性强，耐磨性能好，硬度高，热稳定性好，高温强度大，热膨胀系数小，热导率大以及抗热震和耐化学腐蚀等优良特性。因此，已经在石油、化工、机械、航天、核能等领域大显身手，日益受到人们的重视。例如，SiC陶瓷可用作各类轴承、滚珠、喷嘴、密封件、切削工具、燃汽涡轮机叶片、涡轮增压器转子、反射屏和火箭燃烧室内衬等等。
碳化硅是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生产绿色碳化硅时需要加食盐)等原料在电阻炉内经高温冶炼而成。碳化硅陶瓷的烧结方法有：无压烧结、热压烧结、热等静压烧结、反应烧结。采用采用不同的烧结方法，SiC陶瓷具有各异的性能特点。如就烧结密度和抗弯强度来说，热压烧结和热等静压烧结SiC陶瓷相对较多，反应烧结SiC相对较低。另一方面，SiC陶瓷的力学性能还随烧结添加剂的不同而不同。无压烧结、热压烧结和反应烧结SiC陶瓷对强酸、强碱具有良好的抵抗力，但反应烧结SiC陶瓷对HF等超强酸的抗蚀性较差。就耐高温性能比较来看，当温度低于900℃时，几乎所有SiC陶瓷强度均有所提高；当温度超过1400℃时，反应烧结SiC陶瓷抗弯强度急剧下降。对于无压烧结和热等静压烧结的SiC陶瓷，其耐高温性能主要受添加剂种类的影响。总之，SiC陶瓷的性能因烧结方法不同而不同。一般说来，无压烧结SiC陶瓷的综合性能优于反应烧结的SiC陶瓷，但次于热压烧结和热等静压烧结的SiC陶瓷。
用途
碳化硅纤维是一种广泛应用于航空航天、核工业和军事装备等尖端领域的新材料
碳化硅晶片属于宽带隙半导体材料，是第三代半导体材料，是未来可以替代硅作芯片的材料，将会引起电子行业革命性的变革。目前的主要用途是LED固体照明和应用于高频大功率的无线通讯。手机和笔记本电脑的背景光市场将给碳化硅巨大的需求增长。
碳化硅晶片具有高热导率、高电子饱和漂移速度和大临界击穿电压等特点，成为研制高频大功率、耐高温、抗辐照半导体微电子器件和电路的理想材料，在通信、汽车、航空、航天、石油开采以及国防等方面有着广泛的应用前景。随着第三代高温宽带隙半导体材料的发展，未来碳化硅将革命性的取代硅的半导体芯片原料地位，从而提供给人类抗高温、体积小、寿命长、抗辐射的芯片。
