VariGATR 掠角ATR是一种分析半导体和金属衬底上单层膜的解析方法. VariGATR是可变角度，因此可以对入射角进行优化，以获得这些类型样品的最高灵敏度。其特殊设计的加压器经过优化，使样品与Ge-ATR晶体有良好的接触。VariGATR除了易于使用、完全预对准的水平取样附件外，相对于掠角法，灵敏度至少增加一个数量级。
VariGATR掠角附件主要应用：
半导体和金属表面单分子层和吸附物种的分析
快速重复的测量
VariGATR掠角附件主要特征：
便利的水平取样面
带滑动离合器的内置加压器，可重复施加压力
从60º到65º的连续可变角度允许优化最大灵敏度
防齿隙机构允许精确、可重复的角度选择。
安装Ge ATR晶体
可容纳直径达8“的样品，直径达6”的圆盘中心取样
PermaPurge用于快速清洗系统
可选件包括：
用于增强光谱对比度和取向研究的线栅偏振器。包括滑板支座
带有数字读数的力传感器，用于精确测量ATR晶体和样品之间的接触力。
提供低扭矩滑动离合器
用于大样本的角度刻度仪
包含：
锗半球形ATR晶体
内置压力喷头，设计用于容纳大样本
指定光谱仪的安装硬件。
