美国HARRICK SCIENTIFIC VariGATR™ 浮角ATR附件
型号：GAT-V-XXX
VariGATR™ 浮角ATR附件是一种革命性的分析方法，专为半导体和金属基底上的单分子层分析而设计。VariGATR™ 具有可变角度功能，因此可以优化入射角以实现对这些类型样品的最高灵敏度。其特别设计的压力施加器能够有效地确保样品与Ge ATR晶体之间的良好接触。VariGATR™ 非常适合快速、可重复的测量，并且相对于浮角法提供了至少一个数量级的灵敏度提升。此外，它还提供了一个易于使用、完全预对准的水平采样附件，极大地方便了操作。
特点
- 方便的水平采样表面。
- 内建压力施加器，带滑离离合器，确保可重复的压力施加。
- 60º至65º范围内可连续调节角度，允许优化最大灵敏度。
- 防回弹机制，确保准确且可重复的角度选择。
- 安装了Ge ATR晶体。
- 可容纳直径最大8英寸的样品，中心采样最大6英寸的圆盘样品。
- PermaPurge™ 快速净化系统。
- 可选配件包括：
- 用于增强光谱对比度和方向性研究的线网偏振片，附带滑板安装座。
- 数字读数的力传感器，精确测量施加的力以确保ATR晶体与样品的接触。
- 可选低扭矩滑离离合器。
- 大样品的角度刻度查看辅助工具。
包括
- Ge 半球形ATR晶体。
- 内建压力施加器，设计用于适应大样品。
- 配套安装硬件，适用于指定的光谱仪。
