FD50W 系列 50 μm 有效直径 InGaAs 光电二极管，安装在 TO18 针座中，带有平坦的 AR 涂层窗口
FD50L 系列 50 μm 有效直径 InGaAs 光电二极管，安装在带球透镜的 TO46 接头中
FD50S2 系列 50 μm 有效直径 InGaAs 光电二极管安装在 S2 型氧化铝陶瓷底座上
FD50S3 系列 50 μm 有效直径 InGaAs 光电二极管安装在 S3 型氧化铝陶瓷底座上
FD50S8-F-（光纤型/连接器）50 μm 有效直径 InGaAs 光电二极管位于水平安装 S8 陶瓷封装尾纤组件上。提供定制光纤和连接器端接。
非常 高速、低电容、低暗电流光电二极管，适用于极高比特率 接收器应用程序。受光面直径为 50 μm。 平面钝化器件结构。
绝对最大额定值
| 参数 | 评级 | 单位 |
|---|---|---|
| 储存温度 | -40 至 +100 | °C |
| 工作温度 | -40 至 +85 | °C |
| 正向电流 | 5 | 马 |
| 反向电流 | 0.5 | 马 |
| 反向电压 | 30 | V |
| 参数 | 测试条件 | 最小值 | 类型 | 麦克斯 | 单位 |
|---|---|---|---|---|---|
| 响应度 （R） | λ = 1300 纳米 λ = 1550 纳米 | 0.80 0.85 | 0,85 0,90 元 | 自动 | |
| 暗电流 （Id） | Vr = 5V | 0.1 | 1 | 那 | |
| 上升/下降时间 （Tr / Tf） | Vr = 5V | 100 | 200 | PS | |
| 电容 （C） | Vr = 5V | 0.25 | 0.4 | pF |
