高速InGaAs光电二极管
Fermionics Opto-Technology提供高速InGaAs光电二极管，适用于高速模拟与数字通信系统、局域网、光纤分布式数据接口、仪器仪表及传感应用。所列所有器件均采用平面钝化技术制造；光敏表面镀有宽带增透膜。
FD50系列
专为极高速比特率接收器应用而设计的极高速、低电容、低暗电流光电二极管。光敏区域直径为50微米。采用平面钝化器件结构。
绝对最大额定值
| 参数 | 额定值 | 单位 |
|---|---|---|
| 存储温度 | -40 至 +100 | °C |
| 工作温度 | -40 至 +85 | °C |
| 正向电流 | 5 | mA |
| 反向电流 | 0.5 | mA |
| 反向电压 | 30 | V |
光学与电气特性 (T = 25°C)
| 参数 | 测试条件 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
|---|---|---|---|---|---|
| 响应度 (R) | λ = 1300 nm | 0.80 | 0.85 | A/W | |
| λ = 1550 nm | 0.85 | 0.90 | A/W | ||
| 暗电流 (Id) | Vr = 5V | 0.1 | 1 | nA | |
| 上升/下降时间 (Tr / Tf) | Vr = 5V | 100 | 200 | ps | |
| 电容 (C) | Vr = 5V | 0.25 | 0.4 | pF |
