美国Fermionics,高速 InGaAs 光电二极管,FD80系列,高速、低暗电流、低电容光电二极管,适用于高速通信系统 2025年4月1日 杨辉 19821065355(微信同号)美国Fermionics,高速 InGaAs 光电二极管,FD80系列,高速、低暗电流、低电容光电二极管,适用于高速通信系统高速、低暗电流、低电容光电二极管,适用于高速通信系统。受光面直径为 80 μm。平面钝化器件结构。FD80 芯片系列规格表 绝对最大额定值参数评级单位储存温度-40 至 +100°C工作温度-40 至 +85°C正向电流5马反向电流0.5马反向电压30V光学和电气特性 (T = 25°C)参数测试条件最小值类型麦克斯单位响应度 (R)λ = 1300 纳米 λ = 1550 纳米0.80 0.850,85 0,90 元自动暗电流 (Id)Vr = 5V0.11那上升/下降时间 (Tr / Tf)Vr = 5V0.150.5夜行者电容 (C)Vr = 5V0.40.75pF FD80系列 低暗电流 低电容光电二极管,适用于高速通信系统 美国Fermionics 高速 高速 InGaAs 光电二极管
美国Fermionics,大面积 InGaAs 光电二极管,FD2000系列,在 800 nm 至 1700 nm 范围内具有高光谱响应,受光面直径为 2 mm 2025年4月1日 杨辉 19821065355(微信同号)
美国Fermionics,大面积 InGaAs 光电二极管,FD1500系列,在 800 nm 至 1700 nm 范围内具有高光谱响应,适用于红外仪器和传感应用 2025年4月1日 杨辉 19821065355(微信同号)
美国Fermionics,大面积 InGaAs 光电二极管,FD1000系列,适用于红外仪器和传感应用,在 800 nm 至 1700 nm 范围内具有高光谱响应 2025年4月1日 杨辉 19821065355(微信同号)