美国Fermionics,高速 InGaAs 光电二极管,FD150系列,受光面直径为150 μm,平面钝化器件结构

美国Fermionics,高速 InGaAs 光电二极管,FD150系列,受光面直径为150 μm,平面钝化器件结构

高速 InGaAs 光电二极管

Fermionics Opto-Technology 为高速模拟和数字通信系统、LAN、FDDI、仪器仪表和传感应用提供高速 InGaAs 光电二极管。列出的所有器件均采用平面钝化技术制造;感光表面是宽带 AR 涂层。

高速、低电容、低暗电流光电二极管,适用于高速通信系统。受光面直径为 150 μm。平面钝化器件结构。

FD150 芯片系列规格表

参数评级单位
储存温度-40 至 +100°C
工作温度-40 至 +85°C
正向电流5
反向电流1
反向电压25V

光学和电气特性 (T = 25°C)

参数测试条件最小值类型麦克斯单位
响应度
(R)
λ = 1300 纳米
λ = 1550 纳米
0.80
0.85
0,90
0,95
自动
暗电流
(Id)
Vr = 5V0.53
上升/下降时间
(Tr / Tf)
Vr = 5V0.31夜行者
电容
(C)
Vr = 5V1.52pF


Related posts