Fermionics Opto-Technology公司提供高速InGaAs光电二极管，可用于高速模拟和数字通信系统、局域网、FDDI技术以及各种仪器与传感应用。所有这类器件都是采用平面钝化技术制造的，其光敏表面则涂有宽频带抗反射涂层。
FD50系列这是一种高速、低电容、低暗电流的光电二极管，适用于需要极高比特率的接收应用。其感光区域的直径为50微米，采用平面钝化结构。
绝对最大额定值
| 参数 | 评级 | 单位 |
|---|---|---|
| 储存温度 | -40至+100 | °C |
| 工作温度 | -40至+85 | °C |
| 正向电流 | 5 | 毫安 |
| 反向电流 | 0.5 | 毫安 |
| 反向电压 | 30 | V |
光学与电气特性（T = 25°C）
| 参数 | 测试条件 | 敏 | 类型 | 马克斯 | 单位 |
|---|---|---|---|---|---|
| 响应度 (R) | λ = 1300纳米 λ = 1550纳米 | 0.80 0.85 | 0.85 0.90 | A/W | |
| 暗电流 (Id) | Vr = 5伏特 | 0.1 | 1 | 纳安 | |
| 上升/下降时间 （Tr/Tf） | Vr = 5伏特 | 100 | 200 | 附言 | |
| 电容 （C） | Vr = 5伏特 | 0.25 | 0.4 | pF |
| FD50W | 直径为50微米的InGaAs光电二极管，安装在带有平面抗反射涂层窗口的TO18封装中。 |
| FD50L | 直径为50微米的InGaAs光电二极管，安装在带有球面透镜的TO46封装中。 |
| FD50S2 | 安装在S2型氧化铝陶瓷基板上的、有效直径为50微米的InGaAs光电二极管 |
| FD50S3 | 安装在S3型氧化铝陶瓷基板上的、有效直径为50微米的InGaAs光电二极管 |
| FD50S8-F-（光纤类型/连接器） | 采用水平安装式S8陶瓷封装结构的50微米有效直径的InGaAs光电二极管。可提供定制化的光纤及连接器接口。 |
