FD50 Series
High Speed InGaAs Photodiodes
高速InGaAs光电二极管
超高速、低电容、低暗电流光电二极管，适用于超高比特率接收机应用。感光区直径为50米。平面钝化器件结构。
Fermionics Opto-Technology 为高速模拟和数字通信系统、局域网、FDDI、仪器仪表和传感应用提供高速InGaAs光电二极管。所有列出的器件都是用平面钝化技术制造的；感光表面涂有宽带AR涂层。
型号：
FD50W，50米有效直径InGaAs光电二极管，安装在TO18管座中，带平面AR涂层窗口
FD50L， 50米有效直径InGaAs光电二极管安装在TO46管座中，带球形透镜
FD50S2，50米有效直径InGaAs光电二极管安装在S2型氧化铝陶瓷底座上
FD50S3，50米有效直径InGaAs光电二极管安装在S3型氧化铝陶瓷底座上
FD50S8-F-(Fiber Type/Connector)，水平安装S8陶瓷封装引线组件上50 m有效直径InGaAs光电二极管。提供定制光纤和连接器终端。
FD50S8-F8-(Fiber Type/Connector)，水平安装S8陶瓷封装引线组件上50 m有效直径InGaAs光电二极管。内部光纤尖端角度抛光至8 °,以降低背反射。提供定制单模光纤和连接器终端。
规格参数：
绝对最大额定值
| 参数 | 等级 | 单位 |
|---|---|---|
| 储存温度 | -40 to +100 | °C |
| 工作温度 | -40 to +85 | °C |
| 正向电流 | 5 | mA |
| 反向电流 | 0.5 | mA |
| 反向电压 | 30 | V |
光学和电学特性（T = 25°C）
| 参数 | 试验条件 | 最小 | 典型 | 最大 | 单位 |
|---|---|---|---|---|---|
| 响应度 (R) | λ = 1300纳米 λ = 1550纳米 | 0.80 0.85 | 0.85 0.90 | A/W | |
| 暗电流 (Id) | Vr = 5V | 0.1 | 1 | nA | |
| 上升/下降时间 (Tr / Tf) | Vr = 5V | 100 | 200 | ps | |
| 电容 (C) | Vr = 5V | 0.25 | 0.4 | pF |
FD50 FD50 Series FD50L FD50S2 FD50S3 FD50S8-F-(Fiber Type/Connector) FD50S8-F8-(Fiber Type/Connector) FD50W FD50系列 FD80 FD80系列 FD100 FD100系列 FD150 FD150系列 FD300 FD300系列 Fermionics Fermionics Opto Fermionics Opto-Technology High Speed InGaAs Photodiodes InGaAs Photodiodes 光电二极管 美国Fermionics 美国Fermionics Opto 美国Fermionics Opto-Technology 高速InGaAs光电二极管
