美国Fermionics ,高速 InGaAs 光电二极管,FD150W级,150 μm 有效直径 InGaAs 光电二极管安装在 TO18 接头中,带有平面 AR 涂层窗口

美国Fermionics ,高速 InGaAs 光电二极管,FD150W级,150 μm 有效直径 InGaAs 光电二极管安装在 TO18 接头中,带有平面 AR 涂层窗口

高速 InGaAs 光电二极管

Fermionics Opto-Technology 为高速模拟和数字通信系统、LAN、FDDI、仪器仪表和传感应用提供高速 InGaAs 光电二极管。列出的所有器件均采用平面钝化技术制造;光敏表面是宽带 AR 涂层。

用于高速通信系统的高速、低电容、低暗电流光电二极管。感光面积直径为150μm。平面钝化器件结构

绝对最大额定值

参数评级单位
储存温度-40 至 +100°C
工作温度-40 至 +85°C
正向电流5
反向电流1
反向电压25V

光学和电气特性 (T = 25°C)

参数测试条件最小值典型值麦克斯单位
响应度
(R)
λ = 1300 纳米
λ = 1550 纳米
0.80
0.85
0.90
0.95
秋葵
暗电流
(Id)
VR = 5V0.53
上升/下降时间
(Tr / Tf)
VR = 5V0.31NS
电容
(C)
VR = 5V1.52pF

FD150W

150 μm 有效直径 InGaAs 光电二极管安装在 TO18 接头中,带有平面 AR 涂层窗口


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