瑞士idonus sàrl HF气相蚀刻机-HF Vapor Phase Etcher-VPE系列

HF Vapor Phase Etcher

HF气相蚀刻机

VPE系列

VPE系统由一个反应室和一个盖子组成。加热元件集成在盖子中，用于控制待蚀刻衬底的温度。晶圆夹持可以通过两种方式实现：一种是使用夹持环机械夹持晶圆。螺丝从设备的背面进行固定，永远不与氢氟酸（HF）蒸气接触。这三个螺母带有保护手套易于操作。另一种选择是静电夹持。单个芯片（长度超过10毫米）以及晶圆可以夹持到加热元件上，保护晶圆背面免受蚀刻影响。液态氢氟酸（HF）被注入反应室中。反应室用盖子密封。在室温下，液态HF蒸发产生HF蒸气，蚀刻过程随即开始。蚀刻速率由可以调节的晶圆温度控制，温度范围从35°C到60°C。

处理完成后，酸可以存储在一个密封容器中的储液池中，以便重新使用。液体转移简单地通过降低带有手柄的传输储液池来完成。由于重力作用，酸流入储液池，并可以通过两个阀门关闭。重新填充反应室是通过打开阀门并提起手柄完成的，酸就会流入反应室。这种酸可以多次用于蚀刻，直到需要更换。VPE系统占地面积小，可以轻松集成到现有的流通箱中。

温度控制反应室

为了稳定二氧化硅的蚀刻速率，我们使用一个具有温度控制液态HF的反应室。液态HF的温度会随着洁净室环境温度的变化而变化。此外，在长时间的蚀刻过程中，液态HF会加热，导致从一个晶圆到另一个晶圆的蚀刻速率逐渐增加，直到系统稳定下来。为了稳定蚀刻速率，我们有一个带有温度控制的反应室，可以通过额外的控制器调节HF的温度。将HF酸加热至某个阈值以上可以在蚀刻过程中保持温度稳定。