法国3SP Technologies 1953LCV1激光芯片,进口微型硅芯片,3SP Technologies 半导体激光芯片

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3SP Technologies 1953LCV1芯片是一款包含气源的高性能DFB芯片分子束外延（GS-MBE）应变层多量子阱（SLMQW）垂直结构和掩埋脊带（BRS）结构。 3SP Technologies 1953LCV1通过金属有机气相沉积（MOVPE）再生生长实现的BRS结构在2“晶片上进行，而刻面涂层在棒上进行。该产品适用于整个C波段（1529nm–1570nm）

法国3SP Technologies 1953LCV1激光芯片特点

分布式反馈（DFB） 激光 InGaAsP应变量子 InP上的阱激光器结构 埋藏山脊条纹（BRS） 近光发散 （FWHM）为25°x 25° 输出功率：20mW、40mW 和60mW C波段（1529nm–1570nm） 50 GHz波长间隔 3SP Technologies 开发、制造和销售由内部 III-V 族芯片驱动的有源光电元件。 该公司还利用其相关的外延和晶圆加工专业知识提供代工服务。我们的使命是提供创新的解决方案，包括泵浦激光器和集成激光调制器，以满足客户的需求。 [pdfjs-viewer url="https%3A%2F%2Fwww.bihec.com%2F3sp-technologies%2Fwp-content%2Fuploads%2Fsites%2F586%2F2023%2F09%2F3SP-1999PLU-1.pdf" viewer_width=100% viewer_height=1360px fullscreen=true download=true print=true]      

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