采用改进玻璃几何结构的高阻值微型芯片电阻
Model 112M50R高阻值微型芯片电阻具有厚膜铂/金端子，该端子在约 900∘� 的温度下烧结到陶瓷芯片的一侧。电阻玻璃不含任何有机材料，并以连续薄膜形式施加，因此在硬真空环境中暴露不会因出气而产生任何问题。
更小的玻璃面积（位于更靠近基板中心的位置）降低了在操作过程中崩碎/损坏玻璃的可能性，这种损坏可能导致阻值发生永久性改变。
铂/金端子可以焊接。然而，实践证明，使用金线进行超声球焊是与标准铂/金端子键合的最佳方式。
对于使用金线或铝线的热压键合，本芯片电阻可应特殊订购提供金端子。
应用领域：
混合电路
高阻抗负载电阻
低噪声、高增益反馈电阻
低电流生物和医疗仪器
光子红外探测器
压电加速度计
水听器前置放大器
极低噪声深冷冷却第一级检测电路
驻极体麦克风
电信线路站监控
尺寸
| 长 (L) | 宽 (W) | 高 (H) | |
|---|---|---|---|
| 英寸 | 0.105 | 0.038 | 0.015 |
| (公差 +/-) | 0.005 | 0.003 | 0.003 |
| 毫米 | 2.67 | 0.97 | 0.38 |
| (公差 +/-) | 0.13 | 0.08 | 0.08 |
规格参数
阻值 / 容差: …… 1×107 至 9×108 Ω±5%±10%±20%±30%
1×1010 至 1×1011 Ω±10%±20%±30%
2×1011 至 1×1012 Ω±20%±30%
更严格的容差可根据”最佳努力”原则提供
噪声系数，1V偏压，高于热（约翰逊）噪声水平的噪声: …… 0.5 dB
工作电压范围（推荐）: …… 0 至 1 伏特
最大工作电压: …… 至 60 伏特
工作温度: …… −270∘� 至 +200∘� (3K 至 473K)
可提供中间阻值的电阻。低于 1×107 Ω 以及高达 5×1012 Ω（最大值）的电阻也可提供（需特殊订购）。
注: 每个电阻均在 1 VDC @ 25∘� 条件下测量。可根据特殊要求在其他电压下进行测试。
ELTEC微型芯片电阻、Model 112M50R高阻值微型芯片电阻、ELTEC高阻值微型芯片电阻