UniversityWafer, Inc. 4'' 100mm SiGe/Silicon Wafer Si0.98Ge0.02 晶圆

SiGe-on-Silicon Wafer,2% Ge Composition

Silicon Substrate

Description Prime,single crystal Silicon

Diameter 100+/-0.25mm

Thickness 525+/-25um

Resistivity 1-10 Ohm.cm

Type P-type(Boron doped)

Polish One side epi polished

Orientation (100)

Si1-xGex Epitaxial layer,x=0.02,1-x=0.98

Composition Si1-xGex

Thickness 1000~5000nm

Dopant Boron

Stress state Relaxed

Qty. 25pcs

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UniversityWafer, Inc.

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