瑞士,Fiaxell,Crofer 22H M_Grid™,低接触电阻,尖晶石涂层,气体扩散器

瑞士,Fiaxell,Crofer 22H M_Grid™,低接触电阻,尖晶石涂层,气体扩散器 Crofer 22H M_Grid™  

为了有效的电流收集

Crofer 22H M_Grid涂有5-15 m的CuMn2O4尖晶石用于改善互连空气侧的电流收集 低接触电阻: Crofer 22H M_Grid设计用于改善平面或管状电池堆的阴极电流收集 尖晶石涂层: MnCo的保护层2O4或CuMn2O4以减少铬的蒸发并改善电接触 气体扩散器: 为了形成气体扩散的3D结构，将压延和标称M_Grid夹层焊接在Crofer板上

Crofer 22H M_Grid规格:

  Crofer 22H M_Grid，含5-15M CuMn2O4尖晶石涂层-材料:Crofer 22H -网眼:1.4 X 0.9毫米(对角线) -最大宽度/长度:130毫米/1200毫米 压延后的厚度:0.2毫米 -标准涂层:5-15m cum N2 o 4尖晶石(根据要求提供其他材料) -专有涂层，防止直接CH的任何气体裂解4或共同喂养  

Crofer 22H M_Grid接触电阻:

已经测量了Crofer 22APU和Crofer 22H M_Grid的欧姆电阻与时间的函数关系。测量是在LSM小球两侧用两个相同的M栅进行的。小于10兆欧*厘米的电阻2针对Crofer 22H M_Grid在820°c下测量。
Crofer 22H APU Mgrid graph mesh sofc current collection low contact resistance spinel coating Cumn2o4 co2mno4 Crofer 22APU和Crofer 22H M_Grid的欧姆电阻，CuMn为5-15 m2O4尖晶石涂层  

用于管状系统的M_Grid:

由Crofer 22H和镍等其他非贵金属材料制成的M_Grid可有利地用于管状系统。如下所示，内部或外部电流收集是通过在管内或管外旋转M_Grid实现的。M_Grid也可以直接接收圆形管状细胞。
Crofer M Grid 2 tubular 22H APU Mgrid mesh sofc current collection stack low contact resistance spinel coating Cumn2o4
外部电流收集:Crofer 22H M_Grid卷在管子上。
crofer 22h M Grid mesh interconnect sofc PEM contact resistance spinel coating Mn2CuO4 stack improvement
内部电流收集:镍M型栅极在管内呈螺旋状
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https://www.bihec.com/fiaxell-sofc-soec/Crofer 22H M_Grid™/

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