Copyright UniversityWafer, Inc. 4'' 100mm SiGe/Silicon Wafer,Si0.98Ge0.02 晶圆

1# SiGe-on-Silicon Wafer,2% Ge Composition

Silicon Substrate

Description            Prime,single crystal Silicon

Diameter               100+/-0.25mm

Thickness               525+/-25um

Resistivity              1-10 Ohm.cm

Type                       P-type(Boron doped)

Polish                     One side epi polished

Orientation            (100)

Si1-xGex Epitaxial layer,x=0.02,1-x=0.98

Composition            Si1-xGex

Thickness                1000~5000nm

Dopant                    Boron

Stress state             Relaxed

Qty.                         25pcs

 


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