半导体材料硅/锗晶片和衬底

-元素半导体
（Si、Ge）和半导体化合物
（例如GaAs、GaP、InP、InSb、CdTe、ZnSe……）

-标准晶圆和预处理-
直接从库存中成型的基材，也可以是单件

-特殊形状的晶体和
根据要求提供非标准属性

半导体材料 硅标准产品：

取向：（100）（111）

直径：2英寸至6英寸

表面：抛光/刻蚀

也可提供即用于外延生长的衬底，例如10 x 10 毫米²

可按需提供表面涂层（氧化物、氮化物、金属）

其他尺寸和规格也可提供

半导体材料 硅性质：

结构：立方晶体 晶格常数：0.543 纳米 密度：2.329 克/立方厘米 熔点：1412°C 带隙：1.14 电子伏特

生长方法：Czochralski法 悬浮区域法

掺杂剂：n-磷 n-砷 n-锑 p-硼

电阻率：1-10 欧姆厘米 大于10 千欧姆厘米