III-V – 半导体 /II-VI -半导体晶片和衬底

• 基础半导体（硅、锗）和半导体化合物（例如GaAs、GaP、InP、InSb、CdTe、ZnSe…）
• 标准晶片和预制衬底直接从库存供应，也可单独购买
• 可按要求提供特殊形状的晶体和非标准性能

III-V – 半导体标准产品

直径：2英寸至3英寸

厚度：300至500微米

取向：(100)(111)(110)

• 厂家可现货供应部分产品
• 根据需求提供其他规格
• 也可提供单个件

GaAs – 砷化镓

晶格常数：0.565 纳米 掺杂剂：Si、Te、Zn、无掺杂

GaP – 磷化镓

晶格常数：0.545 纳米 掺杂剂：Cr、S、Zn、无掺杂

GaSb – 锑化镓

晶格常数：0.609 纳米 掺杂剂：Te、Si、Ge、无掺杂

InAs – 砷化铟

晶格常数：0.606 纳米 掺杂剂：S、Zn、无掺杂

InP – 磷化铟

晶格常数：0.587 纳米 掺杂剂：Fe、S、Cd、无掺杂

InSb – 锑化铟

晶格常数：0.648 纳米 掺杂剂：Te、Ge、无掺杂

II-VI -半导体标准产品

尺寸：10×10 毫米²，直径30 毫米

厚度：0.5 毫米，1 毫米

取向：(100)(111)(110)

• 厂家可现货供应部分产品
• 根据需求提供其他规格
• 也可提供单个件

ZnS – 硫化锌

晶格常数：0.541 纳米

ZnSe – 硒化锌

晶格常数：0.567 纳米

ZnTe – 碲化锌

晶格常数：0.610 纳米

CdS – 硫化镉

晶格常数：a=0.414 纳米，c=0.672 纳米

CdSe – 硒化镉

晶格常数：a=0.430 纳米，c=0.701 纳米

CdTe – 碲化镉

晶格常数：a=0.648 纳米