美国BIS G-1，G-1-D，G-2，G-2-D离子枪系统 、BIS 离子枪 、进口代理Beam Imaging Solution
BIS G-1，G-1-D，G-2，G-2-D离子枪系统
Ion Gun System
Beam Imaging Solutions (BIS) 提供两种类型的离子枪系统。每个离子枪包括离子源组件、散热器、加速和聚焦系统、垂直偏转板、一个6英寸长的速度滤波器和一个速度滤波器保护环控制单元。所有组件都装配在一个真空外壳中，并配有法兰，可用于将其安装到客户的设备上。保护环控制单元可以安装到标准的19英寸机架面板中。如果需要，客户可以订购定制法兰和额外端口。当需要与离子枪配合使用束流减速器时，会附带一个适配法兰（型号 G-1-D 和 G-2-D 离子枪）。Beam Imaging 还提供上述离子枪系统的控制单元（E 系列）。这些控制单元包括操作离子枪所需的所有电源，以及离子源的冷却单元和真空计控制单元。所有离子束组件也可以单独提供，或者以完整套件的形式提供（离子源、散热器、速度滤波器、提取和聚焦透镜系统）。这些完整套件被称为离子束套件。
离子枪型号 G-1 和 G-1-D（不可烘烤型）
型号 G-1 可以在 500 eV 到 10 keV 的能量范围内工作（可选 20 keV）。如果需要低于 500 eV 的离子束能量，我们建议使用型号 G-1-D，它包括型号 400 或型号 450 的束流减速器，可以产生能量低至 1 eV 的质量选择离子束。G-1 系列的真空外壳由抛光不锈钢管制成，直径 6 英寸，长度约 19 英寸。该长度包括型号 500 绝缘体安装法兰。G-1-D 的总长度为 23 1/8 英寸，当与型号 400 或型号 450 减速器配合使用时。两种离子枪外壳都配有 6 英寸内径的粗真空端口。型号 G-1 和 G-1-D 的标准出口法兰为 8 英寸外径、6 英寸内径的 Conflat 法兰。然而，当 G-1-D 与减速器（仅型号 400）配合使用时，它的出口法兰为 2 3/4 英寸。G-1 和 G-1-D 都适用于 10^-7 Torr 真空环境，并且不设计为烘烤型。
离子枪型号 G-2 和 G-2-D（可烘烤型）
G-2 和 G-2-D 离子枪都设计为在 500 eV 到 10 keV 的能量范围内工作（可选 20 keV）。然而，型号 G-2-D 离子枪，配有可选的型号 400 或型号 450 减速器，可以用于低至 1 eV 的能量。G-1 和 G-2 系列离子枪之间有两个主要区别。G-2 离子枪设计为可烘烤至 200°C，可用于超高真空（UHV）系统。速度滤波器上的磁线圈被封装在不锈钢外壳中并且液冷，从而允许更高的电流和磁场强度。BIS 推荐使用 CU-1 冷却单元来为磁体和离子源提供冷却。G-2 和 G-2-D 的尺寸与 G-1 和 G-1-D 相同。G-2 和 G-2-D 都设计为适用于 10^-9 Torr 的真空环境。
BIS G-1，G-1-D，G-2，G-2-D离子枪系统技术信息
| 项目 | 规格 |
|---|---|
| 分辨率 | M/D M ~ 400 |
| 离子电流 | 聚焦时最高 20 微安，非聚焦时最高 100 微安 |
| 离子源（直流） | 灯丝 16V – 20A，阳极 0 – 150V，0.4A |
| 离子源（射频） | 0-500瓦特，13.56 MHz |
| 透镜系统 | 0 – 10 kV，1 mA 加速电压，0 – 10 kV，0.5 mA 聚焦电压 |
| 垂直偏转板 | 0 – 400 V，1 mA |
| 速度滤波器磁体 | 型号 G-1：9.5 V，3 A；型号 G-2：28 V，14 A，连续操作 |
| 速度滤波器偏转板 | 0 – 350 V，50 mA（浮动输出） |
| 型号 | G-1，G-1-D，G-2，G-2-D |
选配设备
- 定制法兰和端口：可以根据需要定制法兰和额外端口，并与 BIS 离子枪系统一同订购。如需报价，请联系 Beam Imaging。
- 型号 400 束流减速器和型号 450 束流减速器：BIS 推荐在离子能量低于 500 eV 时使用束流减速器（型号 400）。型号 G-1-D 和 G-2-D 在标准型号 G-1 和 G-2 的基础上，配备可选的型号 400 或型号 450 减速器以及型号 400-A 适配法兰（仅限型号 400）。
- 离子枪控制单元：BIS 提供上述离子枪系统的控制单元（E 系列）。控制单元包括操作离子枪所需的所有电源，以及离子源的冷却单元。还包括真空计控制单元。
- 束流观察系统：可选的束流观察系统（BOS）可以轻松调节离子束的空间轮廓。该系统在离子枪的初始启动过程中是一个非常有价值的辅助工具。
