Beam Imaging Solutions 直流离子源组件 DCIS-100/ DCIS-101/ DCIS-102/ DCIS-103

直流离子源（DC Ion Source）

Beam Imaging Solutions（BIS） 推出全新的 DCIS-100 直流离子源组件。该离子源属于 Colutron 热阴极放电型，可与 G-1 和 G-2 型离子枪系统配合使用。

该离子源在结构设计上类似于 Colutron 氮化硼离子源（型号 100），但采用了高耐久性的氧化铝陶瓷（Al₂O₃）材料制造。与氮化硼材料不同，DCIS-100 的初始放气时间仅需几分钟，而氮化硼由于其吸湿性，通常需要数小时的放气时间。同时，氧化铝材料在机械强度和耐久性方面也优于氮化硼。

与 Colutron 100-Q 石英离子源相比，DCIS-100 同样具有更高的耐用性，并能够在更高温度和更高阳极放电电流下工作，从而实现更高电流的离子束输出。

此外，目前还提供一种新型 Colutron 结构的散热器，可在放电腔内产生轴向磁场，进一步提升离子源性能。

该离子源可作为完整组件（型号：Model-100）提供，包含以下部件：

• 离子源本体（DCIS-101）

• 接口法兰（DCIS-102）

• 气体三通（Gas Tee）

• 固体装料支架（Solid Charge Holder）

此外，DCIS-101 离子源也可单独提供，可直接插接至标准 Colutron 接口法兰。
同时还可提供带炉体（Oven）的离子源版本，该炉体用于固体材料的汽化，最高工作温度可达 2000 °C。