Beam Imaging提供两种类型的离子枪系统。每个枪包括离子源组件、散热器、加速和聚焦系统、垂直偏转板、6英寸长的速度过滤器和速度过滤器保护环控制单元。组件装配在一个真空外壳中，该外壳配有一个法兰，用于安装到客户的设备上。保护环控制单元可以安装在标准的19”机架面板中。如果需要，可以订购定制法兰和附加端口。当枪需要束减速器时，包括一个适配器法兰(型号G-1-D和G-2-D离子枪)。波束成像还提供控制单元(E系列)对于上述离子枪系统。控制单元包括操作离子枪所需的所有电源，以及用于离子源和真空计控制的冷却单元。所有离子束组件也可单独或成套提供(离子源、热沉、速度过滤器、提取和聚焦透镜系统)。这些完整的套件被称为离子束套件。
G-1和G-1-D型离子枪(不可烘烤)
G-1型可以在500电子伏到10千电子伏(可选20千电子伏)的能量范围内运行。如果需要小于500 eV的离子束能量，我们推荐使用G-1-D型，它包括400型或450型减速器，可以产生能量低至1 eV的质量选择离子束。G-1系列的真空外壳由抛光不锈钢管制成，直径6英寸，长约19英寸。长度包括500型绝缘子安装法兰。当与400型或450型减速器一起使用时，G-1-D的总长度为23 1/8英寸。两种离子枪外壳都配有一个6英寸内径的粗抽端口。型号G-1和G-1-D上的标准出口法兰是一个8”外径和6”内径的汇合法兰。然而，当与减速器(仅400型)一起使用时，G-1-D型有一个2 3/4″出口法兰。型号G-1和G-1-D都适用于10的真空使用-7 托和不是为烘烤设计的。
G-2和G-2-D型离子枪(可烘烤)
G-2和G-2-D离子枪都设计为在500电子伏到10千电子伏(可选20千电子伏)的能量范围内工作。然而，配有可选的400型或450型减速器的G-2-D离子枪可以使用到1 eV。G-1和G-2系列离子枪有两个不同之处。G-2离子枪被设计成可烘烤到200度oc，用于超高真空(UHV)系统。速度过滤器上的电磁线圈封装在不锈钢护套中，并由液体冷却，因此允许更高的电流和磁场强度。BIS推荐将CU-1冷却装置用于磁体和离子源冷却。G-2和G-2-D的尺寸分别与G-1和G-1-D相同。G-2和G-2-D的设计都适合10的真空使用-9托。
| Resolution | M/D M ~ 400 |
|---|---|
| Ion Current | Up to 20 micro-amp focussed, 100 micro-amp unfocussed |
| Ion Source (DC) | Filament 16 V – 20 A, Anode 0 – 150 V, 0.4 A |
| Ion Source (RF) | 0-500Watts at 13.56 MhZ |
| Lens System | 0 – 10 kV, 1 mA Acceleration Voltage, 0 – 10 kV, 0.5 mA Focussing Voltage |
| Vertical Deflection Plates | 0 – 400 V, 1mA |
| Velocity Filter Magnet | Model G-1: 9.5 V, 3 A, Model G-2: 28 V, 14 A Continuous operation |
| Velocity Filter Deflection Plates | 0 – 350 V, 50 mA (Floating outputs) |
| 模型 | G-1, G-1-D, G-2, G-2-D |
附加设备
定制法兰和端口。定制法兰和附加端口可与双离子枪系统一起订购。接触束成像为了引用。
400型光束减速器和450型光束减速器。:BIS建议离子束减速器(型号400)用于小于500 eV的离子能量。型号G-1-D和型号G-2-D包括标准型号G-1和G-2，分别带有可选型号400或型号450减速器和型号400-A适配器法兰(仅适用于型号400)。
离子枪控制单元:BIS为上述离子枪系统提供控制单元(E系列)。控制单元包括操作离子枪所需的所有电源以及离子源的冷却单元。真空计控制也包括在内。
波束观测系统:可选的射束观察系统(BOS)可以轻松调整离子束的空间轮廓。该系统在离子枪的初始启动中是一个无价的帮助。
