Beam Imaging Solutions BOS-40-IW光束质量分析仪,真空组件
Beam Imaging Solutions （BIS） 推出了 90 度 BOS，它允许对与成像平面成 90 度的光束进行远程成像。BOS-40-IW 可以连接到线性运动馈通件上，并放置在光束内或从光束中移出，从而在真空室深处进行远程成像。成像是通过将标准 BOS MCP/荧光屏堆栈安装到金属外壳上来完成的，金属外壳具有相对于成像平面成 90 度安装的镜子。外壳采用楔形设计，以最大限度地减小成像仪的物理尺寸，并具有连接到线性运动馈通的便捷点。电气连接是通过将柔性电气绝缘电线连接到电气馈通件的楔块上的连接块来实现的。在标准形式中，BOS-IW 装置可与 MCP/荧光粉组件一起安装在带有电气连接块的楔形外壳上。还提供 BOS-IW 套件，包括带有电气馈入装置、视口、线性运动馈入装置和摄像系统的 BOS-IW 装置。
Beam Imaging Solutions BOS-40-IW光束质量分析仪技术信息
| 成像区域 | 直径 40mm |
|---|---|
| MCP（标准） | 1.975 英寸直径 （BOS-40-IW），10 微米通道直径，成像级，40 毫米有效面积，12 微米间距，8° 偏置角，46：1 纵横比（标准，BOS-40-IW），最大增益：2 x 104（单板，标准）1000V > 107（V 形，OPT-01），2000V |
| 荧光屏（标准） | P-43 带铝涂层。P-43 峰值波长：λ= 545 nm。 |
| 电源要求 | 0 – + 1000V，1mA 单 MCP（标准），0 – + 2000V，1mA 双 MCP（选件 01），0 – + 5000V，1 mA 荧光屏 |
| 光束能量范围 | 1 eV 至 50 keV 以上 |
| 束流范围 | < 10 μA（带可选的光束衰减格栅） |
| 真空 | 运行 MCP 需要 1 x 10-6 Torr 或更高温度，兼容 UHV，最高烘烤温度 300 C |
Beam Imaging Solutions BOS-40-IW光束质量分析仪可选设备
双 MCP 系统、MCP 涂层和 MCP 类型：
- 型号 BOS-40-IW，带 BOS-40-IW-OPT-01 双 MCP 选项
- 带有可选涂层的 MCP，用于增强紫外线和 X 射线（KBr、CsI、Cu、CuI、MgO、Au、MgF2）的成像
- 具有高增益和分辨率的 MCP
- 具有匹配特性阻抗的 MCP
荧光屏
P-43 是标准配置，但也有其他荧光粉可供选择，包括 P1、P11、P15、P20、P22、P24、P31、P45、P46、P47、P48 和 P53。有关更多信息，请参阅我们的荧光粉屏蔽页面。筛网具有标准的铝制涂层，但也提供铟锡氧化物 （ITO） 底涂层。
图像处理系统（可选）
- 型号 IPS-1（图像采集卡（PCI 总线）、电缆、软件）
电源（可选）
- 型号 MCPPS-1 （MCP 电源，单 MCP，0-1kV）
- 型号 MCPPS-2 （MCP 电源， 双 MCP， 0-2kV）
- 型号 PHSPS-1 （荧光屏电源 0-5kV）
其他选项
- 光束衰减网格（90%、99%、99.9%）
- 在确定所需的衰减网格数量时，请使用以下标准：
- 离子束大于 3.2 nA/mm2，光束衰减 90%（1 格）
- 离子束大于 31.8 nA/mm2，束流衰减为 99%（2 个网格）
- 离子束大于 318.nA/mm2，光束衰减为 99.9%（3 个网格）
- 电子抑制网格
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